| 中文摘要 | 第1-4页 |
| 英文摘要 | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-24页 |
| 1-1 半导体激光器发展简要回顾 | 第9-10页 |
| 1-2 大功率半导体激光器的相干性及改善方法 | 第10-11页 |
| 1-3 LD耦合腔 | 第11-15页 |
| 1-3-1 LD耦合腔结构 | 第11-12页 |
| 1-3-2 普通光学反馈的LD耦合腔 | 第12-14页 |
| 1-3-3 光学相位共轭反馈的LD耦合腔 | 第14-15页 |
| 1-4 用种子激光进行LD注入锁定 | 第15-18页 |
| 1-4-1 用种子激光进行LD注入锁定基本结构 | 第15-16页 |
| 1-4-2 用种子激光进行LD注入锁定理论模型 | 第16-17页 |
| 1-4-3 用种子激光进行LD注入锁定研究进展 | 第17-18页 |
| 1-5 半导体激光器自注入锁定系统 | 第18-22页 |
| 1-5-1 半导体激光器自注入锁定基本结构 | 第18-20页 |
| 1-5-2 使用普通反射镜的LD自注入锁定 | 第20-21页 |
| 1-5-3 使用位相共轭镜的LD自注入锁定 | 第21-22页 |
| 1-6 本论文主要研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 高功率半导体激光器及其辐射特性 | 第24-38页 |
| 2-1 双异质结半导体激光器 | 第24页 |
| 2-2 增益导引半导体激光器 | 第24-28页 |
| 2-2-1 增益导引激光器中的反导波效应 | 第25-26页 |
| 2-2-2 光场的横向限制 | 第26-28页 |
| 2-3 高功率半导体激光器的结构 | 第28-31页 |
| 2-3-1 宽接触条形半导体激光器（Broad area laser diode） | 第28-29页 |
| 2-3-2 半导体列阵（Laser diode array） | 第29-30页 |
| 2-3-3 长条半导体列阵（Lase diode bar） | 第30-31页 |
| 2-4 半导体列阵的辐射特性 | 第31-38页 |
| 2-4-1 半导体列阵的横模 | 第31页 |
| 2-4-2 半导体列阵的侧模 | 第31-35页 |
| 2-4-3 半导体激光器高相干轴和低相干轴 | 第35-36页 |
| 2-4-4 半导体列阵辐射的像散 | 第36页 |
| 2-4-5 半导体列阵的光谱特性 | 第36-37页 |
| 2-4-6 半导体列阵的偏振 | 第37-38页 |
| 第三章 光折变效应及位相共轭基础 | 第38-59页 |
| 3-1 光折变效应 | 第38-41页 |
| 3-1-1 引言 | 第38-39页 |
| 3-1-2 光折变效应物理机制 | 第39-40页 |
| 3-1-3 光折变效应的基本方程 | 第40-41页 |
| 3-2 BaTiO_3晶体及其特性 | 第41-46页 |
| 3-2-1 BaTiO_3晶体的结构 | 第41-43页 |
| 3-2-2 BaTiO_3晶体线性电光效应 | 第43-45页 |
| 3-2-3 Rh:BaTiO_3晶体 | 第45-46页 |
| 3-3 光学位相共轭 | 第46-51页 |
| 3-3-1 光学位相共轭特性 | 第46-48页 |
| 3-3-2 四波混频 | 第48-51页 |
| 3-4 光折变晶体中的位相共轭 | 第51-59页 |
| 3-4-1 光感应光散射及扇形效应 | 第51-53页 |
| 3-4-2 双泵浦位相共轭镜（DPPCM） | 第53-55页 |
| 3-4-3 环形结构自泵浦位相共轭器 | 第55-56页 |
| 3-4-4 “猫”式自泵浦位相共轭器 | 第56-59页 |
| 第四章 用普通镜构成的LD外腔改善输出光束质量 | 第59-77页 |
| 4-1 由普通平面反射镜构成的LD外腔实验系统 | 第59-60页 |
| 4-2 LD外腔的光束传输矩阵分析 | 第60-63页 |
| 4-3 LD外腔模分辨能力及模混合能力 | 第63-64页 |
| 4-4 系统对失调的灵敏性 | 第64-66页 |
| 4-4-1 系统对EM倾斜失调的灵敏性 | 第64页 |
| 4-4-2 系统对EM位置失调的灵敏性 | 第64-65页 |
| 4-4-3 系统对距离d失调的灵敏性 | 第65-66页 |
| 4-5 LD外腔二次注入运行分析 | 第66-67页 |
| 4-6 实验结果及分析 | 第67-76页 |
| 4-6-1 LD远场标定 | 第67-68页 |
| 4-6-2 LD外腔一次注入运行 | 第68-72页 |
| 4-6-3 外腔二次注入运行 | 第72-74页 |
| 4-6-4 LD不具有双瓣形状输出的外腔实验 | 第74-76页 |
| 4-7 小结 | 第76-77页 |
| 第五章 用位相共轭外腔改善半导体激光器光束质量 | 第77-91页 |
| 5-1 LD位相共轭外腔实验装置 | 第77-79页 |
| 5-2 1W半导体激光器的位相共轭外腔实验结果 | 第79-87页 |
| 5-2-1 Rh:BaTiO_3晶体中位相共轭建立过程 | 第79-80页 |
| 5-2-2 位相共轭反射率 | 第80-81页 |
| 5-2-3 位相共轭光功率 | 第81-82页 |
| 5-2-4 位相共轭反馈后半导体激光器的输出功率 | 第82页 |
| 5-2-5 位相共轭反馈时半导体外腔的输出功率 | 第82-83页 |
| 5-2-6 半导体激光器输出远场的变化 | 第83-87页 |
| 5-3 7W半导体激光器的位相共轭外腔实验 | 第87-90页 |
| 5-3-1 7W半导体激光器及其远场分布 | 第87-88页 |
| 5-3-2 实验结果 | 第88-90页 |
| 5-4 小结 | 第90-91页 |
| 第六章 用标准具和光栅反馈实现半导体激光器波长锁定 | 第91-101页 |
| 6-1 7W半导体激光器 | 第91-94页 |
| 6-1-1 7W半导体激光器结构 | 第91-92页 |
| 6-1-2 激光器输出功率 | 第92-93页 |
| 6-1-3 半导体激光器输出远场分布 | 第93-94页 |
| 6-1-4 半导体激光器的纵模 | 第94页 |
| 6-2 半导体激光器的标准具反馈 | 第94-97页 |
| 6-2-1 半导体激光器标准具反馈的实验装置 | 第94-95页 |
| 6-2-2 实验结果 | 第95-97页 |
| 6-3 标准具选模光栅反馈注入 | 第97-100页 |
| 6-4 小结 | 第100-101页 |
| 第七章 用互泵浦位相共轭实现半导体激光器波长锁定 | 第101-115页 |
| 7-1 引言 | 第101页 |
| 7-2 光折变晶体中的互泵浦位相共轭结构 | 第101-103页 |
| 7-3 互泵浦位相共轭注入实验一 | 第103-107页 |
| 7-3-1 狭缝位于近场的互泵浦位相共轭注入实验结构 | 第103页 |
| 7-3-2 实验结果 | 第103-107页 |
| 7-4 互泵浦位相共轭注入实验二 | 第107-109页 |
| 7-4-1 狭缝位于远场的互泵浦位相共轭实验装置 | 第107-108页 |
| 7-4-2 实验结果 | 第108-109页 |
| 7-5 采用两块晶体的互泵浦位相共轭反馈实验 | 第109-113页 |
| 7-5-1 用两块晶体的互泵浦位相共轭反馈实验装置 | 第109-110页 |
| 7-5-2 实验结果 | 第110-113页 |
| 7-6 小结 | 第113-115页 |
| 总结 | 第115-117页 |
| 参考文献 | 第117-125页 |
| 攻博期间发表的学术论文 | 第125-127页 |
| 个人简历 | 第127-128页 |
| 致谢 | 第128-129页 |
