首页--工业技术论文--电工技术论文--电器论文--电容器论文--无机介质电容器论文

降低X7R陶瓷电容器烧结温度的研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-18页
   ·课题背景第9-13页
     ·多层陶瓷电容器(MLCC)的现状与发展第9-11页
     ·X7R陶瓷电容器第11-13页
   ·降低X7R陶瓷电容器烧结温度的意义和方法第13-17页
     ·降低X7R陶瓷电容器烧结温度的意义第13-15页
     ·降低X7R陶瓷电容器烧结温度的方法第15-17页
   ·本文的具体研究目标及研究内容第17-18页
     ·本文的研究目标第17页
     ·本文的研究内容第17-18页
第二章 理论基础第18-35页
   ·钛酸钡的细晶高介原理第18-24页
   ·BaTiO_3晶体的铁电畴结构第24-26页
   ·"壳-芯"结构第26-28页
   ·纳米掺杂改性机理第28-29页
   ·金属掺杂改性机理第29-35页
     ·渗透理论简介第30页
     ·渗透理论的定义第30-31页
     ·渗透几率与渗透阈值第31-32页
     ·定比例法则第32-35页
第三章 实施方案和技术路线第35-40页
   ·实施方案第35-36页
   ·技术路线第36页
   ·实验设备第36-37页
   ·瓷料的制备.烧结及成瓷的介电性能的测试第37-40页
第四章 实验结果与讨论第40-70页
   ·掺杂金属Zn的改性研究第40-45页
     ·不同温度下,掺杂金属Zn对瓷料的改性作用第40-42页
     ·不同质量比的金属Zn掺杂对瓷料的改性作用第42-44页
     ·讨论第44-45页
   ·不同氧化物掺杂对X7R瓷料降烧改性的研究第45-49页
     ·掺杂不同氧化物在1080℃下烧结时的改性研究第46-47页
     ·掺杂不同氧化物1000℃下烧结的改性研究第47-49页
   ·掺杂CuO对X7R瓷料降烧改性的研究第49-57页
     ·不同质量比的CuO掺杂改性的研究第49-53页
     ·掺杂CuO在不同烧结温度时的性能比较第53-54页
     ·不同烧结工艺改性的研究第54-57页
     ·讨论第57页
   ·提高陶瓷电容器性能的研究第57-66页
     ·不同质量比的MnCO_3掺杂改性的研究第58-60页
     ·不同质量比的ZnO掺杂改性的研究第60-61页
     ·CBS对X7R陶瓷电容器掺杂改性的研究第61-63页
     ·不同CBS对X7R陶瓷电容器的掺杂改性研究第63-65页
     ·讨论第65-66页
   ·调整烧结工艺的研究第66-68页
   ·结论第68-70页
第五章 总结与展望第70-72页
   ·论文主要工作总结第70-71页
   ·前景展望第71-72页
致谢第72-73页
参考文献第73-77页
攻读学位期间发表的学术论文第77页

论文共77页,点击 下载论文
上一篇:高频高Q镍锌铁氧体材料及其器件应用研究
下一篇:四同轴连接器特性阻抗的计算与仿真建模