降低X7R陶瓷电容器烧结温度的研究
摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-18页 |
·课题背景 | 第9-13页 |
·多层陶瓷电容器(MLCC)的现状与发展 | 第9-11页 |
·X7R陶瓷电容器 | 第11-13页 |
·降低X7R陶瓷电容器烧结温度的意义和方法 | 第13-17页 |
·降低X7R陶瓷电容器烧结温度的意义 | 第13-15页 |
·降低X7R陶瓷电容器烧结温度的方法 | 第15-17页 |
·本文的具体研究目标及研究内容 | 第17-18页 |
·本文的研究目标 | 第17页 |
·本文的研究内容 | 第17-18页 |
第二章 理论基础 | 第18-35页 |
·钛酸钡的细晶高介原理 | 第18-24页 |
·BaTiO_3晶体的铁电畴结构 | 第24-26页 |
·"壳-芯"结构 | 第26-28页 |
·纳米掺杂改性机理 | 第28-29页 |
·金属掺杂改性机理 | 第29-35页 |
·渗透理论简介 | 第30页 |
·渗透理论的定义 | 第30-31页 |
·渗透几率与渗透阈值 | 第31-32页 |
·定比例法则 | 第32-35页 |
第三章 实施方案和技术路线 | 第35-40页 |
·实施方案 | 第35-36页 |
·技术路线 | 第36页 |
·实验设备 | 第36-37页 |
·瓷料的制备.烧结及成瓷的介电性能的测试 | 第37-40页 |
第四章 实验结果与讨论 | 第40-70页 |
·掺杂金属Zn的改性研究 | 第40-45页 |
·不同温度下,掺杂金属Zn对瓷料的改性作用 | 第40-42页 |
·不同质量比的金属Zn掺杂对瓷料的改性作用 | 第42-44页 |
·讨论 | 第44-45页 |
·不同氧化物掺杂对X7R瓷料降烧改性的研究 | 第45-49页 |
·掺杂不同氧化物在1080℃下烧结时的改性研究 | 第46-47页 |
·掺杂不同氧化物1000℃下烧结的改性研究 | 第47-49页 |
·掺杂CuO对X7R瓷料降烧改性的研究 | 第49-57页 |
·不同质量比的CuO掺杂改性的研究 | 第49-53页 |
·掺杂CuO在不同烧结温度时的性能比较 | 第53-54页 |
·不同烧结工艺改性的研究 | 第54-57页 |
·讨论 | 第57页 |
·提高陶瓷电容器性能的研究 | 第57-66页 |
·不同质量比的MnCO_3掺杂改性的研究 | 第58-60页 |
·不同质量比的ZnO掺杂改性的研究 | 第60-61页 |
·CBS对X7R陶瓷电容器掺杂改性的研究 | 第61-63页 |
·不同CBS对X7R陶瓷电容器的掺杂改性研究 | 第63-65页 |
·讨论 | 第65-66页 |
·调整烧结工艺的研究 | 第66-68页 |
·结论 | 第68-70页 |
第五章 总结与展望 | 第70-72页 |
·论文主要工作总结 | 第70-71页 |
·前景展望 | 第71-72页 |
致谢 | 第72-73页 |
参考文献 | 第73-77页 |
攻读学位期间发表的学术论文 | 第77页 |