| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-10页 |
| 1 绪论 | 第10-14页 |
| ·问题的提出及研究意义 | 第10页 |
| ·问题的提出 | 第10页 |
| ·研究意义 | 第10页 |
| ·国内外研究现状 | 第10-12页 |
| ·本文研究的目的和研究内容 | 第12-14页 |
| ·本文研究的目的 | 第12-13页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第13-14页 |
| 2 磁性存储技术的研究现状和发展方向 | 第14-29页 |
| ·磁性颗粒膜的巨磁阻效应和磁光效应 | 第14-21页 |
| ·材料的分类 | 第14-15页 |
| ·磁性薄膜材料的分类 | 第15-17页 |
| ·颗粒膜的巨磁阻效应 | 第17-18页 |
| ·磁性颗粒膜的磁光效应 | 第18-21页 |
| ·磁存储技术的研究现状和发展方向 | 第21-27页 |
| ·信息记录过程 | 第21-23页 |
| ·信息读出过程 | 第23-24页 |
| ·磁化状态的稳定性 | 第24-26页 |
| ·光辅助式磁记录 | 第26-27页 |
| ·本章小结 | 第27-29页 |
| 3 铁磁颗粒膜的自旋激发谱和热力学性质 | 第29-43页 |
| ·问题的提出和研究方向 | 第29页 |
| ·纳米铁磁颗粒膜的基本理论 | 第29-34页 |
| ·基本方程 | 第29-30页 |
| ·格林函数的单环近似 | 第30-34页 |
| ·具有铁磁纳米颗粒的颗粒膜中的自旋激发谱 | 第34-38页 |
| ·颗粒结构中的自旋激发能谱 | 第34-35页 |
| ·颗粒膜自旋激发谱随颗粒粒径和温度的变化 | 第35-38页 |
| ·自旋波激发情况下的磁化强度和磁化率 | 第38-41页 |
| ·铁磁颗粒膜的磁化强度和磁化率与温度的关系 | 第38-40页 |
| ·铁磁颗粒膜的热容量与温度的关系 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 4 含铁磁颗粒的颗粒膜中的自旋激发弛豫 | 第43-50页 |
| ·问题的提出及研究方向 | 第43页 |
| ·基本方程 | 第43-45页 |
| ·由基底中深局域态能级间跃迁决定的弛豫 | 第45-46页 |
| ·计算条件 | 第45-46页 |
| ·基底深能级局域态能级和自旋反转的弛豫 | 第46页 |
| ·在热激活条件下决定颗粒中电子能级之间跃迁的弛豫 | 第46-47页 |
| ·颗粒系统的自旋弛豫随温度的变化 | 第47-48页 |
| ·含C0_(86)Nb_(12) Ta_2 颗粒的SiO_2 膜的自旋激发弛豫 | 第47页 |
| ·(a- C: H)_(1-x) CO_x颗粒膜的自旋激发弛豫 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 5 双层磁性薄膜自旋波能量耗散的分析 | 第50-55页 |
| ·问题的提出 | 第50页 |
| ·双层膜的自旋波模型 | 第50-51页 |
| ·自旋波谱线的宽度 | 第51-53页 |
| ·有效阻尼系数α_n~(eff) | 第51-53页 |
| ·有效回转磁化率γ_e~(nff) | 第53页 |
| ·YSMFE_5O_(12)/(LAER)_3(FEGA)_5O_(12)膜的自旋波谱线宽度 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 6 磁性薄膜性质的变分累积展开法分析 | 第55-62页 |
| ·问题的提出 | 第55页 |
| ·磁性薄膜热学性质的 VCE 展开分析 | 第55-59页 |
| ·特性函数自由能的 VCE 展开 | 第55-56页 |
| ·变分计算处理 | 第56-57页 |
| ·内能和比热的计算及处理 | 第57-59页 |
| ·磁性薄膜磁学性质的 VCE 展开分析 | 第59-61页 |
| ·自发磁化强度的 VCE 展开 | 第59-60页 |
| ·自发磁化强度的变分计算 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 7 结论与展望 | 第62-65页 |
| ·主要结论 | 第62-63页 |
| ·后续研究工作的展望 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-69页 |
| 附录 | 第69页 |
| A 作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第69页 |
| B 作者在攻读硕士学位期间参加的科研项目及得奖情况 | 第69页 |
