摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-6页 |
目录 | 第6-7页 |
第一章 引言 | 第7-15页 |
§1.1 紫外光电探测器概述 | 第7-8页 |
§1.2 GaN基紫外光电探测器的研究进展 | 第8-13页 |
§1.3 本论文的主要研究内容 | 第13-15页 |
第二章 GaN基材料的制备及光电探测器的制备与表征 | 第15-29页 |
§2.1 GaN基材料的制备技术 | 第15-17页 |
§2.2 光电探测器的制备 | 第17-19页 |
§2.3 光电探测器的表征 | 第19-22页 |
§2.4 梳状叉指电极的工作原理 | 第22-29页 |
第三章 GaN紫外光电探测器的制备与分析 | 第29-43页 |
§3.1 GaN薄膜材料的生长制备 | 第29-32页 |
§3.2 GaN紫外光电探测器的测试与分析 | 第32-37页 |
§3.3 退火对GaN紫外光电探测器性能的影响 | 第37-39页 |
§3.4 p-i-n结构的GaN紫外光电探测器的初步研究 | 第39-43页 |
第四章 AlGaN紫外光电探测器的制备与分析 | 第43-49页 |
§4.1 高Al组分的AlGaN薄膜材料的制备 | 第43-45页 |
§4.2 AlGaN紫外光电探测器的测试与分析 | 第45-46页 |
§4.3 退火对Al_(0.25)Ga_(0.75)N紫外光电探测器性能的影响 | 第46-49页 |
第五章 总结与展望 | 第49-51页 |
§5.1 论文工作总结 | 第49-50页 |
§5.2 进一步工作的展望 | 第50-51页 |
致谢 | 第51-52页 |
参考文献 | 第52-54页 |