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氮化镓基紫外光电探测器的研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-6页
目录第6-7页
第一章 引言第7-15页
 §1.1 紫外光电探测器概述第7-8页
 §1.2 GaN基紫外光电探测器的研究进展第8-13页
 §1.3 本论文的主要研究内容第13-15页
第二章 GaN基材料的制备及光电探测器的制备与表征第15-29页
 §2.1 GaN基材料的制备技术第15-17页
 §2.2 光电探测器的制备第17-19页
 §2.3 光电探测器的表征第19-22页
 §2.4 梳状叉指电极的工作原理第22-29页
第三章 GaN紫外光电探测器的制备与分析第29-43页
 §3.1 GaN薄膜材料的生长制备第29-32页
 §3.2 GaN紫外光电探测器的测试与分析第32-37页
 §3.3 退火对GaN紫外光电探测器性能的影响第37-39页
 §3.4 p-i-n结构的GaN紫外光电探测器的初步研究第39-43页
第四章 AlGaN紫外光电探测器的制备与分析第43-49页
 §4.1 高Al组分的AlGaN薄膜材料的制备第43-45页
 §4.2 AlGaN紫外光电探测器的测试与分析第45-46页
 §4.3 退火对Al_(0.25)Ga_(0.75)N紫外光电探测器性能的影响第46-49页
第五章 总结与展望第49-51页
 §5.1 论文工作总结第49-50页
 §5.2 进一步工作的展望第50-51页
致谢第51-52页
参考文献第52-54页

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