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喷涂SiCp/Al电子封装材料制备、组织与热物性的研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-12页
第1章 绪论第12-23页
   ·引言第12页
   ·电子封装材料种类第12-13页
   ·金属基电子封装材料的研究现状第13-14页
   ·金属基电子封装材料制备技术第14-16页
     ·粉末冶金法第15页
     ·挤压铸造法第15页
     ·气体压力渗透铸造法第15页
     ·无压浸渗法第15-16页
     ·喷射沉积法第16页
     ·等离子喷涂法第16页
   ·亚音速火焰喷涂简介第16-17页
     ·亚音速火焰喷涂原理第16-17页
     ·亚音速火焰喷涂制备SiCp/Al 电子封装材料的优越性第17页
   ·SICP/AL 电子封装材料第17-21页
     ·SiCp/Al 电子封装材料简介第17-18页
     ·SiCp/Al 电子封装材料组织结构第18-19页
     ·SiCp/Al 电子封装材料热物性第19-21页
   ·本文主要研究的内容、目标及课题来源第21-23页
     ·研究内容第21-22页
     ·研究目标第22页
     ·课题来源第22-23页
第2章 试验材料与方法第23-28页
   ·试验材料第23页
   ·试验方法第23-28页
     ·技术路线第23页
     ·球磨第23-24页
     ·烘干第24页
     ·喷涂第24-25页
     ·热压工艺第25页
     ·微观组织分析第25页
     ·热膨胀系数和热导率的测试第25-26页
     ·密度及孔隙率测定第26页
     ·体积分数的测定第26-28页
第3章 SICP/AL 电子封装材料的制备第28-41页
   ·引言第28页
   ·球磨工艺对SIC 和AL 复合粉质量的影响第28-32页
     ·原始粉的形貌第28页
     ·球磨时间对SiC 和Al 复合粉质量的影响第28-30页
     ·球磨速度对SiC 和Al 复合粉质量的影响第30-31页
     ·球料比对SiC 和Al 复合粉质量的影响第31页
     ·Al 和SiC 混粉比例对复合粉质量的影响第31-32页
   ·喷涂工艺对材料组织结构的影响第32-36页
     ·喷涂距离对喷涂材料组织结构的影响第32-33页
     ·乙炔压力对喷涂材料组织结构的影响第33-34页
     ·压缩空气压力对喷涂材料组织结构的影响第34-35页
     ·最佳喷涂工艺参数的确定第35-36页
   ·热压工艺对材料组织结构的影响第36-39页
     ·热压压力对材料密度的影响第37页
     ·热压温度对材料密度的影响第37-38页
     ·热压对组织结构的影响第38-39页
   ·本章小结第39-41页
第4章 SICP/AL 电子封装材料微观组织分析第41-47页
   ·引言第41页
   ·相分析第41-42页
   ·组织结构分析第42-44页
     ·低倍下组织分析第42-43页
     ·高倍下组织分析第43-44页
   ·界面第44-45页
   ·缺陷第45-46页
     ·SiC 中的缺陷第45页
     ·Al 中的缺陷第45-46页
   ·本章小结第46-47页
第5章 SICP/AL 电子封装材料热物性研究第47-54页
   ·引言第47页
   ·SICP/AL 电子封装材料的热膨胀系数第47-50页
     ·温度对SiCp/Al 电子封装材料热膨胀系数的影响第47-48页
     ·体积分数和孔隙率对SiCp/Al 热膨胀系数的影响第48-49页
     ·二次处理对SiCp/Al 电子封装材料热膨胀系数的影响第49-50页
   ·SICP/AL 电子封装材料的热导率第50-52页
     ·二次处理对SiCp/Al 电子封装材料热导率的影响第50页
     ·体积分数对热导率的影响第50-52页
   ·亚音速火焰喷涂SICP/AL 电子封装材料的热物性综合评价第52-53页
   ·本章小结第53-54页
结论第54-55页
参考文献第55-59页
在读期间发表的论文第59-60页
致谢第60-61页
附录 A第61页

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