摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-12页 |
第1章 绪论 | 第12-23页 |
·引言 | 第12页 |
·电子封装材料种类 | 第12-13页 |
·金属基电子封装材料的研究现状 | 第13-14页 |
·金属基电子封装材料制备技术 | 第14-16页 |
·粉末冶金法 | 第15页 |
·挤压铸造法 | 第15页 |
·气体压力渗透铸造法 | 第15页 |
·无压浸渗法 | 第15-16页 |
·喷射沉积法 | 第16页 |
·等离子喷涂法 | 第16页 |
·亚音速火焰喷涂简介 | 第16-17页 |
·亚音速火焰喷涂原理 | 第16-17页 |
·亚音速火焰喷涂制备SiCp/Al 电子封装材料的优越性 | 第17页 |
·SICP/AL 电子封装材料 | 第17-21页 |
·SiCp/Al 电子封装材料简介 | 第17-18页 |
·SiCp/Al 电子封装材料组织结构 | 第18-19页 |
·SiCp/Al 电子封装材料热物性 | 第19-21页 |
·本文主要研究的内容、目标及课题来源 | 第21-23页 |
·研究内容 | 第21-22页 |
·研究目标 | 第22页 |
·课题来源 | 第22-23页 |
第2章 试验材料与方法 | 第23-28页 |
·试验材料 | 第23页 |
·试验方法 | 第23-28页 |
·技术路线 | 第23页 |
·球磨 | 第23-24页 |
·烘干 | 第24页 |
·喷涂 | 第24-25页 |
·热压工艺 | 第25页 |
·微观组织分析 | 第25页 |
·热膨胀系数和热导率的测试 | 第25-26页 |
·密度及孔隙率测定 | 第26页 |
·体积分数的测定 | 第26-28页 |
第3章 SICP/AL 电子封装材料的制备 | 第28-41页 |
·引言 | 第28页 |
·球磨工艺对SIC 和AL 复合粉质量的影响 | 第28-32页 |
·原始粉的形貌 | 第28页 |
·球磨时间对SiC 和Al 复合粉质量的影响 | 第28-30页 |
·球磨速度对SiC 和Al 复合粉质量的影响 | 第30-31页 |
·球料比对SiC 和Al 复合粉质量的影响 | 第31页 |
·Al 和SiC 混粉比例对复合粉质量的影响 | 第31-32页 |
·喷涂工艺对材料组织结构的影响 | 第32-36页 |
·喷涂距离对喷涂材料组织结构的影响 | 第32-33页 |
·乙炔压力对喷涂材料组织结构的影响 | 第33-34页 |
·压缩空气压力对喷涂材料组织结构的影响 | 第34-35页 |
·最佳喷涂工艺参数的确定 | 第35-36页 |
·热压工艺对材料组织结构的影响 | 第36-39页 |
·热压压力对材料密度的影响 | 第37页 |
·热压温度对材料密度的影响 | 第37-38页 |
·热压对组织结构的影响 | 第38-39页 |
·本章小结 | 第39-41页 |
第4章 SICP/AL 电子封装材料微观组织分析 | 第41-47页 |
·引言 | 第41页 |
·相分析 | 第41-42页 |
·组织结构分析 | 第42-44页 |
·低倍下组织分析 | 第42-43页 |
·高倍下组织分析 | 第43-44页 |
·界面 | 第44-45页 |
·缺陷 | 第45-46页 |
·SiC 中的缺陷 | 第45页 |
·Al 中的缺陷 | 第45-46页 |
·本章小结 | 第46-47页 |
第5章 SICP/AL 电子封装材料热物性研究 | 第47-54页 |
·引言 | 第47页 |
·SICP/AL 电子封装材料的热膨胀系数 | 第47-50页 |
·温度对SiCp/Al 电子封装材料热膨胀系数的影响 | 第47-48页 |
·体积分数和孔隙率对SiCp/Al 热膨胀系数的影响 | 第48-49页 |
·二次处理对SiCp/Al 电子封装材料热膨胀系数的影响 | 第49-50页 |
·SICP/AL 电子封装材料的热导率 | 第50-52页 |
·二次处理对SiCp/Al 电子封装材料热导率的影响 | 第50页 |
·体积分数对热导率的影响 | 第50-52页 |
·亚音速火焰喷涂SICP/AL 电子封装材料的热物性综合评价 | 第52-53页 |
·本章小结 | 第53-54页 |
结论 | 第54-55页 |
参考文献 | 第55-59页 |
在读期间发表的论文 | 第59-60页 |
致谢 | 第60-61页 |
附录 A | 第61页 |