| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 引言 | 第10-20页 |
| ·铁电材料简介 | 第10-12页 |
| ·铁电体 | 第10-11页 |
| ·铁电材料的应用 | 第11-12页 |
| ·铁电随机存贮器材料 | 第12-17页 |
| ·铁电随机存储器(FRAM)结构 | 第12-15页 |
| ·典型材料 | 第15-17页 |
| ·本论文选题依据和主要内容 | 第17-20页 |
| ·选题依据 | 第17-19页 |
| ·主要内容 | 第19-20页 |
| 第二章 实验方法、材料和仪器 | 第20-26页 |
| ·实验方法 | 第20-21页 |
| ·溶胶-凝胶法基本原理 | 第20-21页 |
| ·溶胶-凝胶法 | 第21页 |
| ·实验材料 | 第21-22页 |
| ·仪器设备及参数 | 第22页 |
| ·制膜设备 | 第22页 |
| ·薄膜制备 | 第22-24页 |
| ·前驱体溶液的制备 | 第22-24页 |
| ·制备Au 上电极 | 第24页 |
| ·铁电薄膜性能测试和结构表征 | 第24-26页 |
| ·XRD 结构测试 | 第24页 |
| ·Raman 光谱测试 | 第24-25页 |
| ·SEM 形貌测量 | 第25页 |
| ·电性能测试 | 第25-26页 |
| 第三章 (Bi,Nd)_4Ti_3O_(12) 铁电薄膜的制备和性能 | 第26-37页 |
| ·(Bi,Nd)_4Ti_3O_(12) 铁电薄膜的制备和表征 | 第26-27页 |
| ·Bi4-xNdxTi3012 铁电薄膜的晶体结构 | 第27-29页 |
| ·XRD 图 | 第27页 |
| ·Raman 光谱 | 第27-29页 |
| ·铁电性能 | 第29-33页 |
| ·电滞回线 | 第29-30页 |
| ·漏电流 | 第30页 |
| ·Nd 掺杂改善BTO 薄膜2P_r 的可能机制 | 第30-33页 |
| ·退火温度对Bi_(3.55)Nd_(0.45)Ti_3O_(12) 薄膜的结构和铁电性质的影响 | 第33-34页 |
| ·Raman 光谱 | 第33-34页 |
| ·电滞回线 | 第34页 |
| ·本章小结 | 第34-37页 |
| 第四章 V 掺杂对 BNT 薄膜的结构和性能的影响 | 第37-47页 |
| ·Bi_(3.55)Nd_(0.45)Ti_(3-x)V_xO_(12) 铁电薄膜的制备与表征 | 第37-38页 |
| ·Bi_(3.55)Nd_(0.45)Ti_(3-x)V_xO_(12) 薄膜的铁电性能 | 第38-40页 |
| ·退火氛围对BNTV 薄膜结构和电性能的影响 | 第40-42页 |
| ·BNTV 薄膜的晶体结构 | 第40页 |
| ·BNTV 薄膜的表面形貌 | 第40页 |
| ·铁电性能 | 第40-42页 |
| ·退火温度对BNTV 薄膜结构和电性能的影响 | 第42-44页 |
| ·晶体结构 | 第42-43页 |
| ·表面形貌 | 第43页 |
| ·铁电性能 | 第43-44页 |
| ·本章小结 | 第44-47页 |
| 第五章 Mn 掺杂对 BNT 薄膜的结构和性能的影响 | 第47-55页 |
| ·Bi_(3.55)Nd_(0.45)(Ti,Mn)_3O_(12) 铁电薄膜的制备和表征 | 第47-48页 |
| ·BNTMn_x 薄膜的微结构表征 | 第48-50页 |
| ·Bi_(3.55)Nd_(0.45)Ti_(3-x)Mn_xO_(12) 薄膜的铁电性能 | 第50页 |
| ·退火温度对BNTM 薄膜结构和电性质的影响 | 第50-54页 |
| ·拉曼光谱 | 第50-53页 |
| ·铁电性能 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 工作总结与展望 | 第55-57页 |
| 一、论文总结 | 第55-56页 |
| 二、工作展望 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 攻读硕士学位期间公开发表的论文 | 第62页 |
