| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-20页 |
| ·红外探测器技术 | 第9-12页 |
| ·微测辐射热计技术基本原理 | 第12-15页 |
| ·氧化钒及红外探测器研究 | 第15-17页 |
| ·氧化钒微测辐射热计结构及多孔硅绝热层技术 | 第17-18页 |
| ·研究目的与意义 | 第18-20页 |
| 第二章 氧化钒的结构、性能、薄膜制备及研究方法 | 第20-37页 |
| ·氧化钒的晶体结构与性质 | 第20-23页 |
| ·五氧化二钒（V_2O_5） | 第21-22页 |
| ·二氧化钒（V0_2） | 第22-23页 |
| ·三氧化二钒（V_2O_3） | 第23页 |
| ·氧化钒薄膜的热敏性能 | 第23-25页 |
| ·VO_2的相变特性及理论 | 第25-27页 |
| ·二氧化钒薄膜相变性能的研究 | 第27-30页 |
| ·氧化钒薄膜的制备方法 | 第30-34页 |
| ·真空蒸发镀膜法 | 第30-31页 |
| ·溅射镀膜（Sputtering） | 第31-33页 |
| ·溶胶—凝胶法（Sol-Gel） | 第33页 |
| ·脉冲激光沉积 | 第33-34页 |
| ·氧化钒薄膜的分析与表征 | 第34-37页 |
| ·X射线衍射法（XRD） | 第34页 |
| ·X射线光电子能谱法（XPS） | 第34-35页 |
| ·扫描电子显微镜法（SEM）与原子力显微镜法（AFM） | 第35-37页 |
| 第三章 SiO_2和Si_3N_4基底磁控溅射氧化钒薄膜的研究 | 第37-60页 |
| ·直流对靶磁控溅射的基本原理 | 第39-42页 |
| ·成膜机理 | 第39-42页 |
| ·设备描述 | 第42页 |
| ·氧化钒薄膜的制备研究步骤 | 第42-45页 |
| ·不同基底上氧化钒薄膜的组分与微结构研究 | 第45-54页 |
| ·Si_3N_4基底上氧化钒薄膜的制备 | 第46-49页 |
| ·SiO_2基底上氧化钒薄膜的制备 | 第49-52页 |
| ·SiO_2和Si_3N_4基底对氧化钒薄膜的影响 | 第52-54页 |
| ·热处理条件对氧化钒薄膜微观结构的影响 | 第54-59页 |
| ·本章小结 | 第59-60页 |
| 第四章 直流对靶磁控溅射相变特性二氧化钒薄膜的研究 | 第60-73页 |
| ·制备方案的确定 | 第60-61页 |
| ·低价态氧化钒薄膜的制备 | 第61-63页 |
| ·低价氧化钒薄膜的热处理与相变特性 | 第63-66页 |
| ·相变特性氧化钒薄膜的组分与结晶状态分析 | 第66-71页 |
| ·相变过程分析 | 第71页 |
| ·氧化钒薄膜的相变与室温电阻温度系数的关系 | 第71-72页 |
| ·本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章 双离子束溅射氧化钒薄膜的研究 | 第73-88页 |
| ·双离子束溅射的特点 | 第73-75页 |
| ·设备描述 | 第75页 |
| ·优势 | 第75页 |
| ·利用DIBSD技术制备氧化钒薄膜的研究 | 第75-78页 |
| ·具有相变特性二氧化钒薄膜的制备 | 第78-83页 |
| ·热处理方式对氧化钒薄膜相变性能的影响 | 第83-85页 |
| ·相变特性氧化钒薄膜制备方式的比较 | 第85-87页 |
| ·本章小结 | 第87-88页 |
| 第六章 多孔硅基底氧化钒热敏薄膜的研究 | 第88-102页 |
| ·多孔硅简介 | 第88-92页 |
| ·多孔硅的特性与应用 | 第88-89页 |
| ·多孔硅的形成机理 | 第89-90页 |
| ·多孔硅形成的理论模型 | 第90-91页 |
| ·多孔硅的分类 | 第91-92页 |
| ·多孔硅的制备 | 第92-94页 |
| ·测试结构的设计 | 第94页 |
| ·多孔硅表面氧化钒薄膜的制备 | 第94-95页 |
| ·多层结构热敏感特性测试 | 第95-97页 |
| ·多孔硅基底对氧化钒薄膜组分与结晶状态的影响 | 第97-100页 |
| ·本章小结 | 第100-102页 |
| 第七章 全文总结及展望 | 第102-105页 |
| ·全文总结 | 第102-103页 |
| ·本文的创新点 | 第103-104页 |
| ·以后的工作展望 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-113页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第113-114页 |
| 致谢 | 第114页 |
