| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-21页 |
| ·光纤通信系统 | 第10页 |
| ·光互连问题 | 第10-12页 |
| ·Si基OEIC光接收机芯片的研究现状 | 第12-21页 |
| ·Si双极工艺OEIC光接收机 | 第12-15页 |
| ·Si MOS工艺OEIC光接收机 | 第15-17页 |
| ·SOI工艺OEIC光接收机 | 第17-18页 |
| ·SiGe/Si OEIC光接收机 | 第18-21页 |
| 第二章 GeSi材料的性质 | 第21-32页 |
| ·引言 | 第21-22页 |
| ·GeSi合金的晶格结构 | 第22-24页 |
| ·GeSi合金的能带结构 | 第24页 |
| ·GeSi合金应变层中的应力 | 第24-25页 |
| ·Ge_xSi_(1-x)/Si异质材料的共度生长临界厚度 | 第25-28页 |
| ·GeSi材料的折射率 | 第28-29页 |
| ·GeSi材料的吸收系数α | 第29-30页 |
| ·Ge_ySi_(1-y)/Ge_xSi_(1-x)异质材料的共度生长临界厚度(y>x) | 第30-32页 |
| 第三章 光波导的设计 | 第32-52页 |
| ·引言 | 第32-33页 |
| ·理论知识 | 第33-38页 |
| ·平板波导 | 第33-36页 |
| ·线光学分析 | 第33-34页 |
| ·电磁场分析 | 第34-36页 |
| ·脊形光波导 | 第36-38页 |
| ·SOI光波导的设计和模拟 | 第38-43页 |
| ·SOI平板光波导的设计 | 第38-39页 |
| ·SOI脊形光波导的设计 | 第39-43页 |
| ·GeSi/Si光波导的设计 | 第43-48页 |
| ·GeSi/Si平板波导的设计 | 第43-45页 |
| ·SiO2/GeSi/Si脊形波导的设计 | 第45-48页 |
| ·SiO2/GevSi1-y/GexSi1-x光波导的设计 | 第48-52页 |
| ·SiO2/GeySi1-y/GexSi1-x平板光波导 | 第48-50页 |
| ·SiO2/GeySi1-y/GexSi1-x脊形光波导 | 第50-52页 |
| 第四章 光电探测器的研究 | 第52-68页 |
| ·光电探测器工作原理 | 第52-56页 |
| ·PIN光电探测器的工作原理 | 第52-53页 |
| ·MSM光电探测器的工作原理 | 第53-56页 |
| ·SML光电探测器的工作原理 | 第56页 |
| ·性能指标 | 第56-59页 |
| ·量子效率和响应度 | 第56-57页 |
| ·响应速度 | 第57-58页 |
| ·暗电流 | 第58页 |
| ·噪声 | 第58-59页 |
| ·半导体所Si工艺(最小线宽2um) | 第59-60页 |
| ·版图 | 第59-60页 |
| ·主要工艺流程 | 第60页 |
| ·Chartered公司0.35um标准CMOS工艺(最小线宽0.35um) | 第60-61页 |
| ·版图 | 第60-61页 |
| ·探测器的模拟 | 第61-65页 |
| ·PIN光电探测器模拟: | 第61-65页 |
| ·波导型探测器的研究 | 第65-68页 |
| ·共振腔探测器的特点 | 第65页 |
| ·GeSi波导型探测器的特点 | 第65-66页 |
| ·GeSi波导型探测器的设计 | 第66-68页 |
| 第五章 测试 | 第68-71页 |
| ·波导器件测试系统 | 第68页 |
| ·光电探测器的测试 | 第68-69页 |
| ·版图照片 | 第69-71页 |
| 第六章 总结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-78页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第78-79页 |
| 一、发表论文 | 第78页 |
| 二、参加科研情况 | 第78-79页 |
| 致谢 | 第79页 |
