| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 1 绪言 | 第9-16页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·国内外研究现状 | 第9-14页 |
| ·薄膜的内应力 | 第9-10页 |
| ·无支撑铝薄膜的研究现状 | 第10-11页 |
| ·金属多层薄膜的研究现状 | 第11-14页 |
| ·本课题的研究背景 | 第14-16页 |
| 2 无支撑Al 膜的制备及测试 | 第16-20页 |
| ·引言 | 第16页 |
| ·样品制备 | 第16-17页 |
| ·衬底的清洗 | 第16页 |
| ·脱膜剂的选取 | 第16-17页 |
| ·蒸发材料 | 第17页 |
| ·真空蒸发设备 | 第17页 |
| ·样品制备过程 | 第17-18页 |
| ·样品的分析测试方法 | 第18-19页 |
| ·表面轮廓测试仪 | 第18页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第18页 |
| ·X 射线衍射（XRD） | 第18-19页 |
| ·蒸发速率的标定 | 第19-20页 |
| 3 无支撑Al 膜的结构及内应力分析 | 第20-32页 |
| ·无支撑铝膜的内应力分析 | 第20-27页 |
| ·分析原理 | 第20-21页 |
| ·结果 | 第21-26页 |
| ·讨论 | 第26-27页 |
| ·无支撑Al 膜的表面分析 | 第27-31页 |
| ·小结 | 第31-32页 |
| 4 Au/Gd 多层薄膜的制备 | 第32-42页 |
| ·引言 | 第32页 |
| ·溅射原理 | 第32-34页 |
| ·磁控溅射法 | 第34-35页 |
| ·直流磁控溅射设备简介 | 第35-36页 |
| ·Au/Gd 多层薄膜样品的制备 | 第36-37页 |
| ·衬底的清洗 | 第36页 |
| ·制备过程 | 第36-37页 |
| ·多层薄膜样品的测试及原理 | 第37-40页 |
| ·膜厚测量 | 第37页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第37-39页 |
| ·场发射扫描电镜(SEM) | 第39页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第39页 |
| ·四探针电阻测试仪 | 第39-40页 |
| ·Au/Gd 多层薄膜沉积速率的测定 | 第40-42页 |
| 5 Au/Gd 多层薄膜结构性能研究 | 第42-54页 |
| ·引言 | 第42页 |
| ·Au/Gd 多层薄膜调制周期的测定 | 第42-44页 |
| ·调制周期对Au/Gd 多层薄膜的影响 | 第44-49页 |
| ·Au/Gd 多层薄膜表面形貌分析 | 第44-47页 |
| ·Au/Gd 多层薄膜晶相分析 | 第47-49页 |
| ·调制周期对Au/Gd 多层薄膜界面明锐程度的影响 | 第49页 |
| ·溅射压强对Au/Gd 多层薄膜的影响 | 第49-50页 |
| ·溅射功率对Au/Gd 多层薄膜的影响 | 第50-51页 |
| ·Au/Gd 多层薄膜的电学性能分析 | 第51-53页 |
| ·小结 | 第53-54页 |
| 6 结论与展望 | 第54-56页 |
| ·主要结论 | 第54页 |
| ·本论文的创新之处 | 第54-55页 |
| ·后续的研究工作 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 附录：作者在攻读硕士学位期间发表的论文目录 | 第61-62页 |
| 独创性声明 | 第62页 |
| 学位论文版权使用授权书 | 第62页 |