SID关键制造技术的研究
| 第一章 引言 | 第1-10页 |
| 第二章 SID的基本理论 | 第10-23页 |
| ·静电感应器件的作用机理 | 第10-14页 |
| ·SIT的作用机制 | 第10-12页 |
| ·SIT的I-V特性 | 第12-14页 |
| ·SIT的基本结构 | 第14-17页 |
| ·电性能控制 | 第17-23页 |
| 第三章 参数调节与结构设计 | 第23-40页 |
| ·参数控制 | 第23-33页 |
| ·制造参数 | 第23-30页 |
| ·材料参数的选取 | 第30-31页 |
| ·终端造型 | 第31-33页 |
| ·版图设计 | 第33-35页 |
| ·工艺设计 | 第35-40页 |
| 第四章 外延 | 第40-50页 |
| ·基本工艺 | 第40-43页 |
| ·预烘 | 第40页 |
| ·HCl抛光 | 第40-41页 |
| ·外延生长 | 第41-42页 |
| ·降温 | 第42-43页 |
| ·自掺杂效应 | 第43-44页 |
| ·减小自掺杂的方法 | 第44-49页 |
| ·外延补偿法 | 第45-47页 |
| ·外延前预补偿 | 第47-49页 |
| ·外延版版图设计 | 第49-50页 |
| 第五章 台面刻蚀和挖槽工艺 | 第50-61页 |
| ·台面刻蚀 | 第50-54页 |
| ·台面刻蚀对器件I-V特性的影响 | 第50-52页 |
| ·台面刻蚀的控制 | 第52-54页 |
| ·沟槽刻蚀 | 第54-57页 |
| ·静电感应器件中的槽结构 | 第54-57页 |
| ·刻蚀工艺和深度控制 | 第57页 |
| ·工艺顺序 | 第57-59页 |
| ·实验数据分析 | 第59-61页 |
| 第六章 结论 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
| 致谢 | 第65页 |
