| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-19页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·金属氧化物半导体气敏材料的研究现状 | 第9-14页 |
| ·金属氧化物半导体薄膜气敏材料 | 第9-12页 |
| ·金属氧化物半导体纳米气敏材料 | 第12-13页 |
| ·金属氧化物半导体多孔气敏材料 | 第13-14页 |
| ·SnO_2和In_2O_3气敏材料的研究现状 | 第14-18页 |
| ·SnO_2气敏材料的发展及研究现状 | 第14-16页 |
| ·In_2O_3气敏材料的发展及研究现状 | 第16-18页 |
| ·本课题研究的目的及意义 | 第18页 |
| ·本课题研究的主要内容 | 第18-19页 |
| 第二章 研究路线与方法 | 第19-25页 |
| ·研究技术路线 | 第19页 |
| ·试验原料 | 第19页 |
| ·制备工艺 | 第19页 |
| ·分析检测方法 | 第19-20页 |
| ·模拟计算软件及理论方法介绍 | 第20-25页 |
| ·Materials Studio(MS)软件简介 | 第20页 |
| ·MS软件模块介绍 | 第20-21页 |
| ·密度泛函理论 | 第21-25页 |
| 第三章 工艺参数对SnO_2-In_2O_3多孔道复合材料结构及气敏性能的影响 | 第25-51页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·固相法制备SnO_2-In_2O_3多孔道复合材料的氧势图 | 第25-30页 |
| ·SnO_2-In2O_3多孔道复合材料固相烧结制备工艺制定依据 | 第30-31页 |
| ·SnO_2-In2O_3多孔道复合材料固相烧结制备试验方法 | 第31-32页 |
| ·试验结果与分析 | 第32-49页 |
| ·工艺参数对SnO_2-In_2O_3多孔道复合材料物相的影响 | 第32-36页 |
| ·工艺参数对SnO_2-In_2O_3多孔道复合材料显微组织的影响 | 第36-42页 |
| ·工艺参数对SnO_2-In_2O_3多孔道复合材料体积收缩率的影响 | 第42-44页 |
| ·SnO_2-In_2O_3多孔道复合材料对CO的气敏测试结果及分析 | 第44-49页 |
| ·本章小结 | 第49-51页 |
| 第四章 SnO_2表面吸附第一性原理研究 | 第51-65页 |
| ·引言 | 第51页 |
| ·金红石型SnO_2的结构模型 | 第51-52页 |
| ·计算结果及分析 | 第52-63页 |
| ·SnO_2的电子密度 | 第52页 |
| ·SnO_2低指数面表面能 | 第52-53页 |
| ·SnO_2低指数面电子结构 | 第53-54页 |
| ·SnO_2氧化(110)面与还原(110)面电特性 | 第54-59页 |
| ·SnO_2的还原(110)面对CO气体的吸附机理 | 第59-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第五章 结论与展望 | 第65-67页 |
| ·结论 | 第65-66页 |
| ·展望 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-74页 |
| 附录: 攻读硕士学位论文期间参与的科研项目及发表的论文 | 第74页 |
