| 摘要 | 第1-10页 |
| Abstract | 第10-13页 |
| 第一章 前言 | 第13-39页 |
| ·低温等离子体物理 | 第13-16页 |
| ·等离子体的定义以及相关重要概念 | 第13-14页 |
| ·等离子体的产生 | 第14页 |
| ·低温等离子体物理的应用 | 第14-16页 |
| ·等离子体显示屏 | 第15页 |
| ·等离子体成膜 | 第15页 |
| ·等离子体浸没离子注入 PIII | 第15-16页 |
| ·等离子体刻蚀技术 | 第16页 |
| ·等离子体在显示器方面的应用:等离子体显示屏 | 第16-27页 |
| ·等离子体显示器的简介 | 第16-17页 |
| ·等离子体显示器的发展历史 | 第17-18页 |
| ·等离子体显示屏的基本构造 | 第18-22页 |
| ·等离子体显示屏的计算机模拟 | 第22-25页 |
| ·国内对于等离子体显示屏的研究情况 | 第25-26页 |
| ·现在的研究进展和趋势:如何提高等离子体显示屏的放电效率 | 第26-27页 |
| ·射频电容耦合放电等离子体 | 第27-28页 |
| ·等离子体浸没离子注入(PIII) | 第28-32页 |
| ·等离子体浸没离子注入技术的模拟研究 | 第29-31页 |
| ·等离子体浸没离子注入技术的不足以及研究方向 | 第31-32页 |
| ·等离子体磁控溅射成膜 | 第32-36页 |
| ·等离子体磁控溅射技术的模拟研究 | 第33-35页 |
| ·等离子体磁控溅射成膜技术的模拟研究方向 | 第35-36页 |
| ·本论文的主要研究工作及其意义 | 第36-39页 |
| 第二章 等离子体粒子模拟模型及数值求解 | 第39-47页 |
| ·等离子体的粒子模拟方法 | 第39页 |
| ·等离子体粒子模拟的基本思路 | 第39页 |
| ·等离子体粒子模拟方法的计算流程和常用算法 | 第39-47页 |
| ·等离子体模拟方法的基本流程及蛙跳算法 | 第39-40页 |
| ·计算粒子形状的插值方法和线性加权方法 | 第40-41页 |
| ·Newton-Lorentz运动方程的求解 | 第41-42页 |
| ·静电模型以及边界条件 | 第42-44页 |
| ·电势的计算 | 第44页 |
| ·电磁模型中 Maxwell方程的求解 | 第44-45页 |
| ·电磁模型中的电流参量 | 第45-47页 |
| 第三章 PDP放电单元中障壁类型对放电性能的影响 | 第47-68页 |
| ·前言 | 第47-48页 |
| ·放电单元的结构组成 | 第48-49页 |
| ·模拟方法以及相关模拟参数 | 第49-51页 |
| ·计算结果和分析 | 第51-66页 |
| ·放电单元中的电势分布 | 第51-53页 |
| ·放电单元中的条纹现象 | 第53-55页 |
| ·带电粒子的密度分布 | 第55-59页 |
| ·放电单元中介质层上的表面电荷分布 | 第59-61页 |
| ·放电单元内空间电势分布和密度分布的相互影响 | 第61-63页 |
| ·放电单元中入射粒子在介质层上的能量分布 | 第63-64页 |
| ·放电单元中入射粒子在介质层上的入射角度分布 | 第64-66页 |
| ·本章小结 | 第66-68页 |
| 第四章 PDP中条纹现象的模拟及其发生机理的探讨 | 第68-87页 |
| ·引言 | 第68页 |
| ·等离子体显示屏放电单元的模拟结构及相关模拟参量 | 第68-69页 |
| ·模拟结果和分析 | 第69-82页 |
| ·电势分布 | 第71-73页 |
| ·带电粒子密度的分布 | 第73-78页 |
| ·空间电势分布和密度分布的对应关系 | 第78-79页 |
| ·条纹现象的发生机理 | 第79-82页 |
| ·不同介电常数的介质障壁对条纹现象的影响 | 第82-85页 |
| ·另外一种材料的障壁对条纹现象的影响 | 第85页 |
| ·本章小结 | 第85-87页 |
| 第五章 射频电容耦合放电等离子体的模拟研究 | 第87-102页 |
| ·引言 | 第87-88页 |
| ·电容耦合放电等离子体的放电模型 | 第88页 |
| ·模拟工具及相关模拟参数 | 第88-89页 |
| ·单频电容耦合放电模拟结果和分析 | 第89-94页 |
| ·工作气压的变化 | 第89-91页 |
| ·射频电源的频率变化 | 第91-92页 |
| ·射频电源的电压变化 | 第92-94页 |
| ·双频电容耦合放电模拟结果和分析 | 第94-99页 |
| ·低频电源电压的改变对放电性能的影响 | 第94-95页 |
| ·高频电源电压的改变对放电性能的影响 | 第95-97页 |
| ·低频电源频率的改变对放电性能的影响 | 第97-98页 |
| ·高频电源频率的改变对放电性能的影响 | 第98-99页 |
| ·本章小结 | 第99-102页 |
| 第六章 等离子体浸没离子注入技术的模拟研究 | 第102-112页 |
| ·引言 | 第102-103页 |
| ·二维等离子体粒子模拟的物理模型 | 第103-104页 |
| ·粒子模拟的计算流程 | 第104-105页 |
| ·数值模拟结果与讨论 | 第105-110页 |
| ·等离子体鞘层的扩展 | 第105-107页 |
| ·入射离子流密度分布 | 第107-108页 |
| ·入射离子的入射角度分布 | 第108-109页 |
| ·入射离子的能量分布 | 第109页 |
| ·入射离子的剂量分布 | 第109-110页 |
| ·注入离子浓度深度分布研究 | 第110-111页 |
| ·本章小结 | 第111-112页 |
| 第七章 磁控溅射等离子体的产生和薄膜沉积的模拟研究 | 第112-125页 |
| ·简介 | 第112-113页 |
| ·磁控溅射等离子体产生的模拟方法 | 第113-115页 |
| ·薄膜沉积宏观形貌的模拟 | 第115-117页 |
| ·等离子体产生过程的模拟结果 | 第117-121页 |
| ·磁场分布的示意图 | 第117-118页 |
| ·平均动能、带电粒子数密度随时间的变化 | 第118页 |
| ·空间电势的分布和等离子体鞘层 | 第118-119页 |
| ·放电空间内的粒子密度分布 | 第119-120页 |
| ·Ar离子的能量分布和角度分布 | 第120页 |
| ·靶体表面的粒子流密度分布 | 第120-121页 |
| ·薄膜沉积过程宏观形貌的模拟 | 第121-123页 |
| ·溅射产率 | 第121-122页 |
| ·不同气压、不同靶/基底间距的薄膜沉积 | 第122-123页 |
| ·小结 | 第123-125页 |
| 第八章 结论 | 第125-130页 |
| 参考文献 | 第130-144页 |
| 致谢 | 第144-145页 |
| 博士研究生期间发表的论文 | 第145-146页 |