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多晶硅太阳电池关键技术研究

独创性声明第1页
学位论文版权使用授权书第2-3页
摘要第3-4页
Abstract第4-7页
第一章 前言第7-17页
   ·人类利用能源的发展趋势第7-8页
   ·太阳能的利用第8-9页
   ·晶体硅太阳电池的发展概况第9-11页
   ·实验室对提高多晶硅太阳电池效率的研究概况第11-14页
   ·多晶硅太阳电池的工业生产流程第14-16页
   ·本论文的研究目的和研究内容第16页
   ·本论文的创新点第16-17页
第二章 晶体硅太阳电池的基础理论第17-39页
   ·晶体硅太阳电池的工作原理第17-23页
     ·晶体硅太阳电池的工作原理概述第17-18页
     ·平衡 P-N结第18-19页
     ·非平衡 P-N结第19-21页
     ·光照下的 P-N结第21-23页
   ·太阳电池性能参数第23-25页
     ·短路电流第23页
     ·开路电压第23-24页
     ·填充因子第24页
     ·转换效率第24-25页
   ·太阳电池等效电路及电流电压关系第25-27页
   ·硅表面减反射及制绒原理第27-28页
   ·扩散原理第28-31页
   ·掺杂层的表征第31-33页
   ·方块电阻的测量第33-34页
   ·表面钝化原理第34-37页
   ·去周边第37-39页
第三章 实验设计第39-48页
   ·扩散过程的有关问题第39-43页
     ·硅片的摆放第39页
     ·扩散源和石英管的使用第39-41页
     ·气体流量影响扩散效果第41页
     ·石英管和石英舟的饱和第41-42页
     ·背靠背扩散的特点第42-43页
   ·多晶硅清洗和表面织构第43-44页
   ·方块电阻的测量第44页
   ·多晶硅和单晶硅的扩散比较第44-45页
   ·氧化实验第45页
   ·对扩散和氧化均匀性的探讨第45-46页
   ·等离子体增强化学气相沉积 SiNx的研究第46页
   ·制太阳电池过程中扩散条件的探索第46-47页
     ·实验设计第46-47页
     ·对扩散条件的进一步探索第47页
     ·PECVD制 SiNx减反射膜的扩散探索第47页
   ·等离子体刻蚀去周边的研究第47-48页
第四章 实验结果及分析第48-66页
   ·酸绒面织构和碱绒面织构的实验结果及分析第48-52页
   ·方块电阻的测量结果和分析第52-53页
   ·单晶硅和多晶硅扩散比较的结果和分析第53-55页
   ·氧化对方块电阻的影响实验结果和分析第55-56页
   ·改进扩散和氧化均匀性的结果和分析第56-57页
   ·氮化硅膜的实验结果和分析第57-58页
   ·扩散条件的实验结果和分析第58-62页
   ·等离子体刻蚀实验结果和分析第62-66页
第五章 结论和展望第66-68页
   ·结论第66页
   ·存在的问题和展望第66-68页
参考文献第68-72页
致谢第72页

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