多晶硅太阳电池关键技术研究
独创性声明 | 第1页 |
学位论文版权使用授权书 | 第2-3页 |
摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-7页 |
第一章 前言 | 第7-17页 |
·人类利用能源的发展趋势 | 第7-8页 |
·太阳能的利用 | 第8-9页 |
·晶体硅太阳电池的发展概况 | 第9-11页 |
·实验室对提高多晶硅太阳电池效率的研究概况 | 第11-14页 |
·多晶硅太阳电池的工业生产流程 | 第14-16页 |
·本论文的研究目的和研究内容 | 第16页 |
·本论文的创新点 | 第16-17页 |
第二章 晶体硅太阳电池的基础理论 | 第17-39页 |
·晶体硅太阳电池的工作原理 | 第17-23页 |
·晶体硅太阳电池的工作原理概述 | 第17-18页 |
·平衡 P-N结 | 第18-19页 |
·非平衡 P-N结 | 第19-21页 |
·光照下的 P-N结 | 第21-23页 |
·太阳电池性能参数 | 第23-25页 |
·短路电流 | 第23页 |
·开路电压 | 第23-24页 |
·填充因子 | 第24页 |
·转换效率 | 第24-25页 |
·太阳电池等效电路及电流电压关系 | 第25-27页 |
·硅表面减反射及制绒原理 | 第27-28页 |
·扩散原理 | 第28-31页 |
·掺杂层的表征 | 第31-33页 |
·方块电阻的测量 | 第33-34页 |
·表面钝化原理 | 第34-37页 |
·去周边 | 第37-39页 |
第三章 实验设计 | 第39-48页 |
·扩散过程的有关问题 | 第39-43页 |
·硅片的摆放 | 第39页 |
·扩散源和石英管的使用 | 第39-41页 |
·气体流量影响扩散效果 | 第41页 |
·石英管和石英舟的饱和 | 第41-42页 |
·背靠背扩散的特点 | 第42-43页 |
·多晶硅清洗和表面织构 | 第43-44页 |
·方块电阻的测量 | 第44页 |
·多晶硅和单晶硅的扩散比较 | 第44-45页 |
·氧化实验 | 第45页 |
·对扩散和氧化均匀性的探讨 | 第45-46页 |
·等离子体增强化学气相沉积 SiNx的研究 | 第46页 |
·制太阳电池过程中扩散条件的探索 | 第46-47页 |
·实验设计 | 第46-47页 |
·对扩散条件的进一步探索 | 第47页 |
·PECVD制 SiNx减反射膜的扩散探索 | 第47页 |
·等离子体刻蚀去周边的研究 | 第47-48页 |
第四章 实验结果及分析 | 第48-66页 |
·酸绒面织构和碱绒面织构的实验结果及分析 | 第48-52页 |
·方块电阻的测量结果和分析 | 第52-53页 |
·单晶硅和多晶硅扩散比较的结果和分析 | 第53-55页 |
·氧化对方块电阻的影响实验结果和分析 | 第55-56页 |
·改进扩散和氧化均匀性的结果和分析 | 第56-57页 |
·氮化硅膜的实验结果和分析 | 第57-58页 |
·扩散条件的实验结果和分析 | 第58-62页 |
·等离子体刻蚀实验结果和分析 | 第62-66页 |
第五章 结论和展望 | 第66-68页 |
·结论 | 第66页 |
·存在的问题和展望 | 第66-68页 |
参考文献 | 第68-72页 |
致谢 | 第72页 |