| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第1章 引言 | 第10-15页 |
| ·无线局域网介绍 | 第10-11页 |
| ·接收机架构介绍 | 第11页 |
| ·接收机的性能参数 | 第11-13页 |
| ·集成电路的工艺选择 | 第13-14页 |
| ·论文结构组织 | 第14-15页 |
| 第2章 CMOS工艺中的电容与电感 | 第15-27页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·CMOS工艺中的电容 | 第15-17页 |
| ·CMOS工艺中的电感 | 第17-27页 |
| ·CMOS工艺中电感的模型 | 第19-21页 |
| ·电感的Q值 | 第21-22页 |
| ·电感的自谐振频率 | 第22-23页 |
| ·用ASITIC对电感进行仿真 | 第23-27页 |
| 第3章 CMOS差动低噪声放大器 | 第27-46页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·低噪声放大器结构介绍 | 第27-33页 |
| ·叠接低噪声放大器介绍 | 第27-30页 |
| ·电流复用低噪声放大器 | 第30-33页 |
| ·低噪声放大器噪声分析 | 第33-38页 |
| ·噪声指数的定义 | 第33-34页 |
| ·叠接式噪声因子 | 第34页 |
| ·共扼噪声匹配法 | 第34-36页 |
| ·CMOS噪声模型与等效噪声变量的对应关系 | 第36-38页 |
| ·最佳MOSFET管宽度的选择 | 第38-41页 |
| ·电路实现与仿真结果 | 第41-45页 |
| ·小结 | 第45-46页 |
| 第4章 2.4GHZ开关型压控振荡器设计 | 第46-71页 |
| ·引言 | 第46页 |
| ·振荡器结构选择 | 第46-52页 |
| ·环形振荡器 | 第47-48页 |
| ·LC振荡器 | 第48-52页 |
| ·相噪声分析 | 第52-59页 |
| ·线性时不变噪声模型 | 第52-53页 |
| ·Hajmiri的线性时变相噪声模型 | 第53-55页 |
| ·LC振荡器的电压及电感限制区分析 | 第55-56页 |
| ·振荡器的NCR分析 | 第56-57页 |
| ·交叉耦合LC振荡器相噪声 | 第57-59页 |
| ·交叉耦合LC振荡器的设计实现 | 第59-62页 |
| ·LC振荡器的设计量及设计条件限制 | 第59-60页 |
| ·电感的选择及其他参数的确定 | 第60页 |
| ·可变电容器的的选择 | 第60-62页 |
| ·自调节低相噪声开关电容型压控振荡器的设计实现 | 第62-70页 |
| ·开关电容VCO的结构选择 | 第63-64页 |
| ·整个电路的设计实现 | 第64-70页 |
| ·小结 | 第70-71页 |
| 第5章 电压与电流基准电路设计 | 第71-77页 |
| ·引言 | 第71页 |
| ·与电源无关的偏置 | 第71-72页 |
| ·与温度无关的基准 | 第72-74页 |
| ·负温度系数 | 第73页 |
| ·正温度系数电压 | 第73-74页 |
| ·双极型晶体管在CMOS工艺中的实现 | 第74页 |
| ·带隙基准电路的实现 | 第74-77页 |
| 结论 | 第77-79页 |
| 参考文献 | 第79-82页 |
| 致谢 | 第82-83页 |
| 附录A(攻读学位期间所发表的学术论文目录) | 第83-84页 |
| 附录B LNA的噪声指数与MOS宽度MATLAB计算程序 | 第84-85页 |