| 第一章 前言 | 第1-12页 |
| 1．1 SiCGe薄膜概述 | 第7-11页 |
| 1．1．1 Si上 SiGeC外延薄膜 | 第7-9页 |
| 1．1．2 SiC上SiCGe外延薄膜 | 第9-11页 |
| 1．2 研究目的及主要研究内容 | 第11-12页 |
| 第二章 热壁 CVO设备 | 第12-18页 |
| 2．1 供气系统 | 第12-14页 |
| 2．2 反应室及加热装置 | 第14-16页 |
| 2．3 真空机组及真空检测系统 | 第16-17页 |
| 2．4 水循环系统 | 第17页 |
| 2．5 温度控制系统 | 第17页 |
| 2．6 尾气处理系统 | 第17-18页 |
| 第三章 薄膜生长工艺 | 第18-31页 |
| 3．1 SiCGe薄膜的晶格常数计算 | 第18-26页 |
| 3．1．1 以3C-SiC和 Ge之间的线性内插法计算 SiCGe的晶格常数 | 第21-22页 |
| 3．1．2 以Si、C和 Ge之间的线性内插法计算 SiCGe的晶格常数 | 第22-23页 |
| 3．1．3 以3C-SiC、C和 Ge之间的线性内插法计算 SiCGe的晶格常数 | 第23-24页 |
| 3．1．4 以 SiC、Si和 Ge三者的线性内插法计算 SiCGe的晶格常数 | 第24-26页 |
| 3．2 SiCGe薄膜的生长机理 | 第26-28页 |
| 3．3 衬底准备 | 第28-29页 |
| 3．4 实验工艺 | 第29-31页 |
| 第四章 样品的测试与分析 | 第31-51页 |
| 4．1 样品组分分析 | 第31-34页 |
| 4．2 样品晶体结构分析 | 第34-38页 |
| 4．3 样品表面形貌和断面形貌分析 | 第38-47页 |
| 4．4 样品厚度、折射率和吸收系数的分析 | 第47-50页 |
| 4．5 样品电阻率的测试与分析 | 第50-51页 |
| 第五章 结束语 | 第51-53页 |
| 5．1 总结 | 第51页 |
| 5．2 对今后工作的一些设想 | 第51-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-58页 |
| 附录 | 第58页 |
