| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| §1.1 量子阱半导体激光器的发展与应用 | 第7页 |
| §1.2 AlInGaAs／AlGaAs应变量子阱激光器研究热点及现状 | 第7-9页 |
| §1.3 高特征温度AlInGaAs／AlGaAs应变量子阱激光器研究的意义 | 第9-10页 |
| §1.4 本文研究的主要内容 | 第10-11页 |
| 第二章 影响半导体激光器特征温度的主要因素 | 第11-28页 |
| §2.1 简介T_0问题 | 第11-12页 |
| §2.2 影响T_0的主要因素 | 第12-23页 |
| §2.2.1 俄歇复合对T_0的影响 | 第12-16页 |
| §2.2.2 载流子泄漏对T_0的影响 | 第16-18页 |
| §2.2.3 异质结界面态复合对T_0的影响 | 第18-19页 |
| §2.2.4 价带间光吸收对T_0的影响 | 第19-23页 |
| §2.3 应变量子阱对提高T_0的贡献 | 第23-28页 |
| §2.3.1 应变理论 | 第23页 |
| §2.3.2 应变对能带结构的影响 | 第23-25页 |
| §2.3.3 应变对俄歇复合的影响 | 第25-26页 |
| §2.3.4 应变对价带间光吸收的影响 | 第26页 |
| §2.3.5 应变对T_0的影响 | 第26-28页 |
| 第三章 高特征温度量子阱激光器结构设计及分析 | 第28-35页 |
| §3.1 高T_0值量子阱激光器的结构设计需要考虑的主要问题 | 第28页 |
| §3.2 AlInGaAs／AlGaAs／GaAs半导体激光材料介绍 | 第28-29页 |
| §3.3 结构设计 | 第29-35页 |
| §3.3.1 缓冲层的设计 | 第29页 |
| §3.3.2 势垒层的设计 | 第29-30页 |
| §3.3.3 有源层的设计 | 第30-32页 |
| §3.3.4 波导层的设计 | 第32-34页 |
| §3.3.5 限制层的设计 | 第34-35页 |
| 第四章 808nm AlInGaAs／AlGaAs／GaAs半导体激光器的制备及其特性测试 | 第35-44页 |
| §4.1 外延材料生长 | 第35-36页 |
| §4.2 外延片的测试 | 第36-40页 |
| §4.3 腔面镀膜工艺 | 第40-41页 |
| §4.4 半导体激光器制作后工艺 | 第41-44页 |
| 第五章 温度特性实验研究 | 第44-55页 |
| §5.1 温度特性实验原理 | 第44页 |
| §5.2 温度特性实验装置的介绍 | 第44-48页 |
| §5.2.1 以空气为导热媒质的控温装置 | 第44-46页 |
| §5.2.2 以液体为导热媒质的控温装置 | 第46-48页 |
| §5.3 实验结果及分析 | 第48-55页 |
| 结论 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-59页 |
