| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| 1-1 光电子技术发展概述 | 第8-9页 |
| 1-2 大功率半导体激光器概述 | 第9-11页 |
| 1-2-1 半导体激光器的发展历史 | 第9页 |
| 1-2-2 半导体激光器的分类 | 第9页 |
| 1-2-3 大功率半导体激光器的应用 | 第9-11页 |
| 1-3 大功率半导体激光器的发展现状与前景 | 第11-12页 |
| 1-3-1 大功率半导体激光器的发展现状 | 第11页 |
| 1-3-2 大功率半导体激光器的发展方向 | 第11-12页 |
| 1-4 本文研究的重点和意义 | 第12页 |
| 1-5 大功率半导体激光器设计思路 | 第12-17页 |
| 1-5-1 器件制作的总体思路 | 第12-15页 |
| 1-5-2 材料结构的设计思路 | 第15-17页 |
| 第二章 量子阱激光器MOCVD外延概述 | 第17-26页 |
| 2-1 MOCVD简介 | 第17-19页 |
| 2-1-1 MOCVD的概念及原理 | 第17-18页 |
| 2-1-2 MOCVD外延生长方法的优缺点 | 第18页 |
| 2-1-3 低压MOCVD | 第18-19页 |
| 2-2 MOCVD设备简介 | 第19-21页 |
| 2-2-1 MOCVD设备系统 | 第19-20页 |
| 2-2-2 气体源供给系统 | 第20页 |
| 2-2-3 反应室和加热系统 | 第20-21页 |
| 2-2-4 尾气处理系统 | 第21页 |
| 2-2-5 微机自控及系统安全保护报警系统 | 第21页 |
| 2-2-6 测露装置 | 第21页 |
| 2-3 MOCVD外延的关键技术和难点 | 第21-22页 |
| 2-4 外延材料参数的测试技术 | 第22-23页 |
| 2-5 光荧光(PL)技术简介 | 第23-24页 |
| 2-5-1 光荧光技术概念及其特点 | 第23-24页 |
| 2-5-2 光荧光测试仪 | 第24页 |
| 2-5-3 光荧光谱 | 第24页 |
| 2-6 激光器材料MOCVD外延技术的发展方向 | 第24-26页 |
| 第三章 材料结构设计及量子阱的优化 | 第26-33页 |
| 3-1 材料结构及生长参数的设计 | 第26-28页 |
| 3-1-1 材料的基本结构参数 | 第26页 |
| 3-1-2 生长参数对材料及器件的影响 | 第26-28页 |
| 3-2 阱层材料及厚度的优化 | 第28-33页 |
| 3-2-1 采用InGaAs材料和分别限制量子阱结构 | 第28-29页 |
| 3-2-2 量子阱厚度的确定 | 第29-33页 |
| 第四章 波导模式理论分析及结构设计 | 第33-43页 |
| 4-1 光波导模式理论简介 | 第33页 |
| 4-2 光波导基本理论及算法 | 第33-38页 |
| 4-2-1 光波导模式理论 | 第33-36页 |
| 4-2-2 对于纵向光场分布的数值求解方法 | 第36-38页 |
| 4-3 计算结果及分析 | 第38-40页 |
| 4-4 窄发散角激光器结构设计模拟 | 第40-43页 |
| 第五章 MOCVD外延生长实验及结果分析 | 第43-49页 |
| 5-1 实验步骤 | 第43-44页 |
| 5-2 实验结果及分析 | 第44-47页 |
| 5-2-1 温度实验 | 第44页 |
| 5-2-2 Ⅴ/Ⅲ比实验 | 第44-45页 |
| 5-2-3 掺杂分布实验 | 第45-46页 |
| 5-2-4 波导层优化 | 第46-47页 |
| 5-3 将实验结果应用于器件制作 | 第47-49页 |
| 结论 | 第49-50页 |
| 参考文献 | 第50-53页 |
| 致谢 | 第53-54页 |
| 攻读学位期间所取得的相关科研成果 | 第54页 |