| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-13页 |
| ·前言 | 第8-10页 |
| ·微波功率SiGe HBT的研究现状 | 第10-11页 |
| ·设计思想和研究目标 | 第11-12页 |
| ·论文简介 | 第12-13页 |
| 第二章 SiGe异质结微波功率晶体管 | 第13-21页 |
| ·SiGe微波功率晶体管的性能 | 第13-17页 |
| ·微波功率晶体管的主要参数 | 第13-15页 |
| ·SiGe异质结微波功率晶体管的性能 | 第15-17页 |
| ·SiGe异质结微波功率晶体管常用制造工艺及结构 | 第17-20页 |
| ·SiGe应力层的制造 | 第17页 |
| ·晶体管常用结构及制造工艺 | 第17-19页 |
| ·高压或大电流情况SiGe微波功率晶体管的附加结构 | 第19-20页 |
| ·本章小节 | 第20-21页 |
| 第三章 新结构微波功率SiGe HBT | 第21-29页 |
| ·新结构微波功率SiGe HBT | 第21-25页 |
| ·最高振荡频率f_(max) | 第21-22页 |
| ·新结构微波功率晶体管 | 第22-23页 |
| ·新结构微波功率晶体管性能的初步分析 | 第23-24页 |
| ·新结构微波功率晶体管的技术措施 | 第24-25页 |
| ·工艺的流程概图 | 第25-26页 |
| ·表面平坦化工艺 | 第26-28页 |
| ·本章小结 | 第28-29页 |
| 第四章 微波功率SiGe HBT的仿真研究 | 第29-56页 |
| ·仿真模型 | 第29-33页 |
| ·传输模型 | 第29-30页 |
| ·复合模型 | 第30-31页 |
| ·迁移率模型 | 第31-32页 |
| ·半导体能带结构模型 | 第32-33页 |
| ·仿真结构的选取 | 第33-35页 |
| ·集电区的设计 | 第34-35页 |
| ·频率特性仿真及其计算 | 第35-38页 |
| ·小信号AC分析 | 第35-36页 |
| ·最大有效功率增益的仿真和计算 | 第36-37页 |
| ·特征频率f_T | 第37-38页 |
| ·最高振荡频率f_(max) | 第38页 |
| ·低击穿电压SiGe微波异质结晶体管仿真分析 | 第38-44页 |
| ·直流特性的仿真和分析 | 第39-42页 |
| ·频率特性的仿真和分析 | 第42-44页 |
| ·高击穿电压SiGe微波异质结晶体管仿真分析 | 第44-50页 |
| ·直流特性的仿真和分析 | 第46-47页 |
| ·频率特性的仿真和分析 | 第47-50页 |
| ·Ge分布对于特征频率f_T和最高振荡频率的影响 | 第50-52页 |
| ·提取仿真晶体管的模型参数 | 第52-53页 |
| ·本章小节 | 第53-56页 |
| 第五章 微波功率SiGe HBT的理论分析 | 第56-65页 |
| ·有效基区扩展效应对新结构的影响分析 | 第56-59页 |
| ·Current Spreading效应 | 第59-61页 |
| ·槽结构对特征频率f_T的影响分析 | 第61-63页 |
| ·本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 总结 | 第65-67页 |
| ·研究工作总结 | 第65-66页 |
| ·需要完善的工作 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 致谢 | 第72页 |