| 第一章 文献综述 | 第1-38页 |
| ·引言 | 第13-15页 |
| ·铁电材料的基本理论简介 | 第15-21页 |
| ·电介质的极化 | 第15-17页 |
| ·铁电材料的极化 | 第17-18页 |
| ·铁电体自发极化的形成机理 | 第18-20页 |
| ·极化反转 | 第20-21页 |
| ·铁电体的应用 | 第21-27页 |
| ·铁电薄膜的制备方法 | 第27-29页 |
| ·薄膜特性的测试方法 | 第29-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 参考文献 | 第35-38页 |
| 第二章 PZT 铁电薄膜的特性研究 | 第38-57页 |
| ·引言 | 第38-41页 |
| ·PZT 铁电电容的制备及表征 | 第41-43页 |
| ·PZT 铁电电容的制备 | 第41-42页 |
| ·PZT 铁电薄膜的表征 | 第42-43页 |
| ·PZT 铁电薄膜的特性研究 | 第43-53页 |
| ·PZT 电滞回线与测试频率和脉冲宽度的关系 | 第43-46页 |
| ·PZT 电滞回线、C-V 特性与测试电压的关系 | 第46-48页 |
| ·疲劳特性与测试脉冲宽度的关系 | 第48页 |
| ·疲劳特性与测试频率的关系 | 第48-49页 |
| ·单边脉冲激励的疲劳测试 | 第49页 |
| ·去钉扎效应 | 第49-50页 |
| ·疲劳特性与剩余极化强度的关系 | 第50-51页 |
| ·分析与讨论 | 第51-53页 |
| ·PZT 铁电电容在 FERAM 中的应用 | 第53-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 参考文献 | 第55-57页 |
| 第三章 LaNiO3(LNO)导电薄膜的制备及其特性研究 | 第57-67页 |
| ·引言 | 第57-58页 |
| ·LNO 薄膜的制备 | 第58-59页 |
| ·样品的制备 | 第58-59页 |
| ·性能测试 | 第59页 |
| ·LNO 薄膜的特性分析 | 第59-64页 |
| ·退火温度对薄膜电阻率的影响 | 第60页 |
| ·退火时间对薄膜电阻率的影响 | 第60-61页 |
| ·不同退火条件对电阻率的影响 | 第61-62页 |
| ·厚度对电阻率的影响 | 第62-63页 |
| ·不同衬底对薄膜取向的影响 | 第63页 |
| ·薄膜的 SEM 分析 | 第63-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-67页 |
| 第四章 LNO 电极对 PZT 特性影响的研究 | 第67-79页 |
| ·引言 | 第67页 |
| ·样品的制备 | 第67页 |
| ·PZT/LNO 结构铁电电容的特性分析 | 第67-76页 |
| ·PZT/LNO/SiO2 铁电电容的结构表征 | 第67-68页 |
| ·PZT/LNO 与 PZT/Pt 铁电电容的电滞回线对比分析 | 第68页 |
| ·LNO 电极对 PZT 抗疲劳特性的改善 | 第68-70页 |
| ·PZT/LNO 薄膜的抗疲劳特性与频率及脉冲宽度的关系 | 第70-71页 |
| ·PZT/LNO 铁电电容的 I-V 曲线 | 第71-74页 |
| ·负阻效应与电滞回线偏移的关系 | 第74-76页 |
| ·PZT/LNO 的 C-V 特性曲线 | 第76页 |
| ·PZT/LNO 结构铁电电容的应用前景 | 第76-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 参考文献 | 第78-79页 |
| 第五章 层状 Bi 结构铁电薄膜的制备和特性研究 | 第79-110页 |
| ·引言 | 第79-81页 |
| ·Bi4Ti3O12 薄膜的制备及其特性研究 | 第81-86页 |
| ·Bi4Ti3O12 薄膜简介 | 第81页 |
| ·Bi4Ti3O12 薄膜的制备 | 第81-82页 |
| ·Bi4Ti3O12 薄膜的 XRD 谱及其电滞回线 | 第82-83页 |
| ·退火时间对 Bi4Ti3O12薄膜特性的影响 | 第83-84页 |
| ·Bi4Ti3O12 薄膜的 AES 分析 | 第84页 |
| ·减少 Bi 挥发对 Bi4Ti3O12薄膜疲劳现象影响的研究 | 第84-85页 |
| ·分析与讨论 | 第85-86页 |
| ·SrBi4Ti4O15 薄膜的制备及其特性研究 | 第86-99页 |
| ·简介 | 第86页 |
| ·Bi 过量 8%的 SrBi4Ti4O15 薄膜的制备 | 第86-87页 |
| ·Bi 过量 8%的 SrBi4Ti4O15 薄膜的特性研究 | 第87-89页 |
| ·不同 Bi 含量的 SrBi4Ti4O15 薄膜的特性研究 | 第89-91页 |
| ·退火时间对 SrBi4Ti4O15 薄膜的影响 | 第91页 |
| ·Bi4Ti3iO12-SrBi4Ti4O15 结构的铁电薄膜 | 第91-93页 |
| ·不同工艺条件对 SrBi4Ti4O15 薄膜优势晶向的影响 | 第93-95页 |
| ·Bi 含量对 SrBi4Ti4O15 薄膜疲劳特性的影响 | 第95-96页 |
| ·分析与讨论 | 第96-99页 |
| ·Bi3.25La0.75Ti3O12 薄膜的制备及其特性研究 | 第99-106页 |
| ·BLT 薄膜的简介 | 第99-100页 |
| ·Bi 过量 20%的 Bi3.25La0.75Ti3O12 薄膜的制备 | 第100页 |
| ·Bi 过量 20%的 Bi3.25La0.75Ti3O12 薄膜的特性研究 | 第100-101页 |
| ·Bi 过量 5%的 Bi3.25La0.75Ti3O12 薄膜的特性研究 | 第101-103页 |
| ·Bi 过量 5%的 Bi3.25La0.75Ti3O12 薄膜的电压与疲劳特性的关系 | 第103-105页 |
| ·Bi 过量 0%的 Bi3.25La0.75Ti3O12 薄膜的制备及其特性分析 | 第105-106页 |
| ·本章小结 | 第106-108页 |
| 参考文献 | 第108-110页 |
| 第六章 MFS 和 MFIS 电容的制备及其特性研究 | 第110-121页 |
| ·引言 | 第110页 |
| ·MFS 结构电容的制备及其特性研究 | 第110-113页 |
| ·MFIS 结构电容的制备及其特性研究 | 第113-115页 |
| ·局部电滞回线的研究及其对 MFS 和 MFIS 读出机制的影响 | 第115-118页 |
| ·局部电滞回线的测量 | 第115-117页 |
| ·MFS 和 MFIS 工作机理的研究 | 第117-118页 |
| ·单个单元多值存储 | 第118页 |
| ·本章小结 | 第118-120页 |
| 参考文献 | 第120-121页 |
| 第七章 全文总结 | 第121-125页 |
| ·主要研究成果 | 第121-123页 |
| ·有待进一步研究的问题 | 第123-125页 |
| 致 谢 | 第125-126页 |
| 发表论文情况 | 第126-127页 |
