| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-23页 |
| 1．1 透明导电膜的种类及特点 | 第9-10页 |
| 1．2 In2O3和ZnO薄膜的组织结构 | 第10-11页 |
| 1．3 In2O3和ZnO薄膜的光学性质 | 第11-12页 |
| 1．4 In2O3和ZnO薄膜的电学性质 | 第12-14页 |
| 1．4．1 ZnO薄膜的导电机理 | 第12-13页 |
| 1．4．2 In2O3薄膜的导电机理 | 第13-14页 |
| 1．5 电学及光学上的应用 | 第14-16页 |
| 1．5．1 电致变色器件 | 第14-15页 |
| 1．5．2 液晶显示 | 第15页 |
| 1．5．3 太阳能电池 | 第15-16页 |
| 1．5．4 除霜玻璃 | 第16页 |
| 1．5．5 电磁屏蔽 | 第16页 |
| 1．5．6 热辐射反射镜 | 第16页 |
| 1．6 常用的制备工艺 | 第16-20页 |
| 1．6．1 磁控溅射 | 第16-17页 |
| 1．6．2 化学气相沉积 | 第17-18页 |
| 1．6．3 真空反应蒸发 | 第18页 |
| 1．6．4 溶胶-凝胶法 | 第18-19页 |
| 1．6．5 微波ECR等离子体溅射 | 第19页 |
| 1．6．6 脉冲激光沉积 | 第19页 |
| 1．6．7 喷射热分解 | 第19-20页 |
| 1．7 研究与应用现状及存在问题 | 第20-21页 |
| 1．8 实验目的及意义 | 第21-23页 |
| 2 溅射镀膜原理 | 第23-27页 |
| 2．1 溅射机理及特点 | 第23-24页 |
| 2．2 溅射类型 | 第24-27页 |
| 2．2．1 直流溅射 | 第24-25页 |
| 2．2．2 射频溅射 | 第25-26页 |
| 2．2．3 磁控溅射 | 第26-27页 |
| 3 实验 | 第27-29页 |
| 3．1 实验设备和过程 | 第27-28页 |
| 3．2 检测 | 第28-29页 |
| 4 工艺参数对ITO薄膜的特性影响 | 第29-41页 |
| 4．1 沉积速率 | 第29-31页 |
| 4．2 ITO薄膜导电性的影响因素 | 第31-37页 |
| 4．2．1 氧流量对导电性的影响 | 第31-32页 |
| 4．2．2 氩气气压对导电性的影响 | 第32-33页 |
| 4．2．3 温度对导电性的影响 | 第33-34页 |
| 4．2．4 功率对导电性的影响 | 第34-35页 |
| 4．2．5 偏压对导电性的影响 | 第35-37页 |
| 4．3 ITO薄膜的光学性质 | 第37-38页 |
| 4．4 ITO薄膜的结构特征 | 第38-41页 |
| 5 ZnO:Al（ZAO）薄膜的制备及特性研究 | 第41-62页 |
| 5．1 共溅锌靶和铝靶制备ZnO:Al薄膜 | 第41-51页 |
| 5．1．1 基片温度对ZnO薄膜导电性的影响 | 第41-44页 |
| 5．1．2 氧流量对ZnO薄膜导电性的影响 | 第44-46页 |
| 5．1．3 靶材电压对ZnO薄膜导电性的影响 | 第46-47页 |
| 5．1．4 氧流量最佳值与工艺参数之间的关系 | 第47-48页 |
| 5．1．5 铝靶射频功率对ZnO薄膜电学性质的影响 | 第48-51页 |
| 5．2 射频溅射陶瓷靶制备ZAO薄膜 | 第51-62页 |
| 5．2．1 ZAO薄膜结构特性 | 第51-55页 |
| 5．2．2 ZAO薄膜的光学性质 | 第55-56页 |
| 5．2．3 工艺参数对ZAO薄膜电学性质的影响 | 第56-62页 |
| 6 结论 | 第62-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 附录 | 第70页 |