新型MIp～+-AlxGa1-xAs/p-GaAs/n-GaAs/n～+-GaAs太阳电池
| 一、 前言 | 第1-10页 |
| （一） 太阳能的利用 | 第6-7页 |
| （二） 光伏研究与开发 | 第7-8页 |
| 1． 太阳能和太阳电池的特点 | 第7页 |
| 2． 研究开发新材料、新工艺和新器件结构 | 第7-8页 |
| 3． GaAs太阳电池的研究和开发 | 第8页 |
| （三） 本文的研究目的和特点 | 第8-10页 |
| 二、 整体太阳电池的结构设计 | 第10-21页 |
| （一） 电池结构设计及其特点 | 第10-11页 |
| （二） 电池的吸收光谱分析 | 第11-13页 |
| 1． 太阳光谱 | 第11-12页 |
| 2． 电池各层的光能吸收 | 第12页 |
| 3． 电池各层的电能输出 | 第12-13页 |
| （三） 组分和各层厚度的确定 | 第13页 |
| 1． 组分的确定 | 第13页 |
| 2． 各层必要厚度的确定 | 第13页 |
| （四） 顶层表面势垒的设计 | 第13-19页 |
| 1． MIS结的分析 | 第14-15页 |
| 2． 表面势垒的确定 | 第15-17页 |
| 3． 表面势垒的效果分析 | 第17-19页 |
| （五） 整个电池的能带图 | 第19-21页 |
| 三、 光电流的理论计算分析 | 第21-32页 |
| （一） 理论计算中的假定 | 第21页 |
| （二） 单色光生电流的计算 | 第21-25页 |
| 1． 表面势垒区的光生电流密度 | 第21-22页 |
| 2． 光生电子电流密度 | 第22-23页 |
| 3． 光生空穴电流密度 | 第23-24页 |
| 4． PN结区的光生电流密度 | 第24-25页 |
| 5． 单色光总的光生电流密度 | 第25页 |
| （三） 总的光电流密度 | 第25页 |
| （四） 光谱响应 | 第25页 |
| （五） 计算结果分析 | 第25-32页 |
| 1． 表面势垒区 | 第25页 |
| 2． P~+-Al_xGa_（1-x）As层 | 第25-26页 |
| 3． P-GaAs层 | 第26-28页 |
| 4． n-GaAs层 | 第28-29页 |
| 5． n~+-GaAs层 | 第29页 |
| 6． PN结区 | 第29页 |
| 7． 界面复合的影响 | 第29-32页 |
| 四、 暗电流的理论计算分析 | 第32-44页 |
| （一） 暗电流计算中的理论假设 | 第32-33页 |
| （二） 暗电流的计算 | 第33-36页 |
| 1． 空穴暗电流密度 | 第33-34页 |
| 2． 电子暗电流密度 | 第34-35页 |
| 3． PN结区的复合电流密度 | 第35-36页 |
| 4． 总的暗电流密度 | 第36页 |
| （三） 电流-电压特性 | 第36页 |
| （四） 暗电流计算结果分析 | 第36-44页 |
| 1． P~+-Al_xGa_（1-x）As层 | 第37页 |
| 2． P-GaAs层 | 第37-39页 |
| 3． PN结区 | 第39-42页 |
| 4． n-GaAs层 | 第42-43页 |
| 5． n~+-GaAs层 | 第43页 |
| 6． 界面和结面复合速度 | 第43-44页 |
| 五、 结论 | 第44-46页 |
| 六、 附录 | 第46-49页 |
| （一） 符号说明 | 第46-47页 |
| （二） 参考文献 | 第47-49页 |
| 七、 致谢 | 第49页 |
