| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-21页 |
| ·前言 | 第9页 |
| ·SIC晶体的结构及其优异的半导体性能 | 第9-11页 |
| ·一维SIC纳米材料的制备方法 | 第11-13页 |
| ·模板生长法 | 第11-12页 |
| ·碳热还原法 | 第12页 |
| ·化学气相沉积法 | 第12页 |
| ·电弧放电 | 第12-13页 |
| ·一维SIC纳米材料的生长机理 | 第13-16页 |
| ·气相合成法中SiC纳米线的生长机制 | 第13-14页 |
| ·液相法合成一维SiC纳米线 | 第14-16页 |
| ·具有阵列结构的一维SIC纳米线 | 第16-19页 |
| ·课题的提出和研究内容 | 第19-21页 |
| ·课题的提出 | 第19-20页 |
| ·研究内容 | 第20-21页 |
| 第二章 实验方法 | 第21-26页 |
| ·实验原料 | 第21页 |
| ·仪器和设备 | 第21页 |
| ·实验方法 | 第21-22页 |
| ·测试方法 | 第22-26页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第22-23页 |
| ·扫描电子显微镜(SEM) | 第23页 |
| ·拉曼光谱仪(Raman Spectroscopy) | 第23-24页 |
| ·光致发光光谱(PL) | 第24-25页 |
| ·透射电子显微镜(Transmission electron microscopy,TEM) | 第25-26页 |
| 第三章 碳纤维上合成试管刷状SIC纳米晶须阵列 | 第26-41页 |
| ·制备过程 | 第26-27页 |
| ·SIC纳米晶须的测试与表征 | 第27-30页 |
| ·物相分析 | 第27-28页 |
| ·晶须的形貌分析 | 第28-29页 |
| ·微观结构分析 | 第29-30页 |
| ·真空度对碳纤维上SIC纳米晶须阵列生长的影响 | 第30-34页 |
| ·不同真空度下的所获得的SiC纳米晶须阵列 | 第30-32页 |
| ·真空度对SiC纳米线生长影响的热力学分析 | 第32-34页 |
| ·拉曼光谱和光致发光性能分析 | 第34-36页 |
| ·SIC纳米晶须阵列的生长机理分析 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-41页 |
| 第四章 石墨片上合成六方棱柱状SIC纳米晶须 | 第41-57页 |
| ·制备过程 | 第41-42页 |
| ·SIC纳米线的测试与表征 | 第42-45页 |
| ·物相分析 | 第42-43页 |
| ·微观形貌分析 | 第43-45页 |
| ·真空度对石墨基板上生长SIC纳米晶须的影响 | 第45-46页 |
| ·温度对石墨基板上生长SIC纳米晶须的影响 | 第46-48页 |
| ·SIC纳米线的光致发光(PL)性能分析 | 第48-49页 |
| ·石墨基板上所获得SIC纳米线阵列的场致电子发射性质 | 第49-51页 |
| ·场致电子发射实验及测试方法 | 第49页 |
| ·SiC纳米线阵列的场发射性能测试与分析 | 第49-51页 |
| ·六方棱柱状SIC纳米线的形成机理 | 第51-55页 |
| ·SiC纳米线的孪晶结构 | 第51-53页 |
| ·SiC孪晶纳米线的形核和生长机理 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 钴硅熔体中SIC纳米晶须的生长 | 第57-63页 |
| ·实验过程 | 第57页 |
| ·测试与表征 | 第57-61页 |
| ·XRD分析 | 第57-58页 |
| ·不同硅化物对石墨基板上SiC晶须形貌的影响 | 第58-60页 |
| ·硅化物熔体表面的SiC纳米晶须形貌 | 第60-61页 |
| ·SIC纳米晶须的生长机理分析 | 第61-62页 |
| ·本章小结 | 第62-63页 |
| 第六章 结论 | 第63-65页 |
| 第七章 展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-74页 |
| 攻读硕士期间发表论文 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75页 |
