| 提要 | 第1-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-36页 |
| ·薄膜晶体管的发展历史与研究现状 | 第12-13页 |
| ·非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管和有机薄膜晶体管性能比较 | 第13-16页 |
| ·非晶硅(a-Si)TFT 技术简介 | 第13-14页 |
| ·多晶硅(Poly-Si)TFT 技术简介 | 第14-15页 |
| ·有机(OTFT)技术简介 | 第15-16页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管制备技术及应用 | 第16-18页 |
| ·低温多晶硅薄膜晶体管制备技术 | 第16-17页 |
| ·多晶硅薄膜晶体管在AMOLED 中的应用 | 第17-18页 |
| ·有机薄膜晶体管研究状况 | 第18-28页 |
| ·有机薄膜晶体管的结构和分类 | 第21-27页 |
| ·全有机显示技术的研究现状 | 第27-28页 |
| ·本论文的主要工作 | 第28-30页 |
| 参考文献 | 第30-36页 |
| 第二章 高迁移率酞菁铜薄膜晶体管的制备和表征 | 第36-59页 |
| ·底栅结构酞菁铜薄膜晶体管的研究 | 第39-46页 |
| ·器件的结构和制备 | 第39-41页 |
| ·源漏电极/有源层界面修饰 | 第41-42页 |
| ·器件的测试及结果讨论 | 第42-46页 |
| ·顶栅结构酞菁铜薄膜晶体管的场效应特性的研究 | 第46-52页 |
| ·器件的结构和制备 | 第47页 |
| ·绝缘层修饰对器件性能的影响 | 第47-50页 |
| ·器件的性能测试及结果讨论 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 第三章 基于顶栅结构酞菁铜薄膜晶体管电路单元器件的研制 | 第59-73页 |
| ·OTFT 模型参数提取与性能仿真 | 第59-63页 |
| ·基于CUPC-OTFT 反相器电路的设计、仿真和制备 | 第63-67页 |
| ·基于CUPC-OTFT 与非门电路的设计、仿真和制备 | 第67-69页 |
| ·基于CUPC-OTFT 电流镜的结构设计、制备和测试 | 第69-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-73页 |
| 第四章 AMOLED 显示与周边驱动集成一体化的全P 沟道POLY-SI TFT 阵列布图设计的研究 | 第73-110页 |
| ·全P 沟道LPTS POLY-SI TFT 行列驱动与显示区集成一体化的研究的意义 | 第74-75页 |
| ·电路仿真与版图设计 | 第75-88页 |
| ·单元像素驱动电路仿真 | 第76-83页 |
| ·行列驱动的电路仿真 | 第83-85页 |
| ·反相器、单元像素、移位寄存器的布图设计 | 第85-87页 |
| ·行列驱动及整体布图设计 | 第87-88页 |
| ·版图校验 | 第88-96页 |
| ·DRC 校验 | 第89-91页 |
| ·版图网表提取 | 第91-93页 |
| ·LVS 校验 | 第93-95页 |
| ·信号延迟分析 | 第95-96页 |
| ·POLY-SI TFT 阵列测试电路的研究 | 第96-108页 |
| ·检测方法的提出 | 第98-101页 |
| ·测试方法与仿真分析 | 第101-107页 |
| ·结论 | 第107-108页 |
| ·本章小结 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-110页 |
| 第五章 总结 | 第110-114页 |
| 作者在读期间发表的学术论文及申报的专利 | 第114-115页 |
| 致谢 | 第115-116页 |
| 摘要 | 第116-119页 |
| Abstract | 第119-121页 |
