| 提要 | 第1-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| ·半导体纳米材料概述 | 第7-8页 |
| ·氧化锌的晶体结构 | 第8-9页 |
| ·纳米氧化锌的性能及应用 | 第9-12页 |
| ·气体传感器及压电材料 | 第10页 |
| ·荧光材料及电容器 | 第10-11页 |
| ·吸波材料 | 第11页 |
| ·在陶瓷工业中的应用 | 第11-12页 |
| ·用于制备抗紫外线、抗菌、消毒产品 | 第12页 |
| ·用于催化剂和光催化方面 | 第12页 |
| ·纳米ZnO 的制备方法 | 第12-16页 |
| ·化学沉淀法 | 第13-14页 |
| ·激光诱导气相沉积法(LICVD)法 | 第14页 |
| ·固相合成法 | 第14页 |
| ·喷雾热解法 | 第14-15页 |
| ·水热合成法 | 第15-16页 |
| ·类水滑石化合物（HTLc）简介 | 第16-17页 |
| ·本文选题的目的及意义 | 第17-18页 |
| 第二章 多孔氧化铝模板的制备及表征 | 第18-27页 |
| ·实验材料的选取、实验装置 | 第18-19页 |
| ·有序氧化铝模板的制备 | 第19-21页 |
| ·多孔氧化铝的结构形貌表征 | 第21-23页 |
| ·样品的XRD 分析 | 第21-22页 |
| ·多孔氧化铝微结构和形貌 | 第22-23页 |
| ·阳极氧化条件对多孔氧化铝结构的影响 | 第23-26页 |
| ·电解液浓度对多孔氧化铝结构的影响 | 第23-24页 |
| ·阳极氧化电压对多孔氧化铝结构的影响 | 第24-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 HTlc-ZnAlCO_3纳米片和纳米ZnO 的制备及结构形貌表征 | 第27-38页 |
| ·实验装置和测试设备 | 第27-28页 |
| ·HTlc-ZnAlCO_3 纳米片制备与表征 | 第28-29页 |
| ·HTlc-ZnAlCO_3 纳米片的制备过程 | 第28-29页 |
| ·HTlc-ZnAlCO_3 纳米片XRD 谱 | 第29页 |
| ·氧化锌纳米棒的制备与表征 | 第29-35页 |
| ·反应液PH 值对产物的影响 | 第30-32页 |
| ·生长时间对产物的影响 | 第32-33页 |
| ·乙酸锌浓度对产物的影响 | 第33-35页 |
| ·HTlc-ZnAlCO_3 纳米片及ZnO 纳米棒生长机理的研究 | 第35-36页 |
| ·HTlc-ZnAlCO_3 纳米片的生长机理 | 第35-36页 |
| ·ZnO 纳米棒的生长机理 | 第36页 |
| ·本章小结 | 第36-38页 |
| 第四章 ZnO 纳米棒阵列的荧光及气敏性能研究 | 第38-52页 |
| ·氧化锌光致发光 | 第38-41页 |
| ·蓝光发射峰 | 第38-39页 |
| ·绿光发射峰 | 第39页 |
| ·红光发光峰 | 第39-40页 |
| ·ZnO 的本征点缺陷分类 | 第40-41页 |
| ·ZnO 纳米棒的光致发光谱 | 第41-43页 |
| ·退火样品的PL 谱 | 第43-44页 |
| ·ZnO 气敏性能的研究 | 第44-47页 |
| ·ZnO 半导体气敏材料研究现状 | 第44-45页 |
| ·半导体气敏传感器的分类 | 第45-46页 |
| ·氧化锌气敏元件的工作原理 | 第46页 |
| ·半导体气敏元件的特性参数 | 第46-47页 |
| ·ZnO 气敏特性的测试 | 第47-51页 |
| ·旁热式气敏元件的制备 | 第47-48页 |
| ·气敏特性的测试过程 | 第48页 |
| ·温度对灵敏度的影响 | 第48-49页 |
| ·乙醇浓度对灵敏度的影响 | 第49-50页 |
| ·元件对乙醇的响应-恢复特性 | 第50-51页 |
| ·本章小结 | 第51-52页 |
| 第五章 结论与展望 | 第52-54页 |
| ·结论 | 第52-53页 |
| ·工作展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-59页 |
| 硕士期间发表的学术成果 | 第59-60页 |
| 详细摘要 | 第60-65页 |
| 致谢 | 第65页 |