| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-30页 |
| ·纳米材料简介 | 第10-13页 |
| ·纳米材料的特点 | 第11-13页 |
| ·一维纳米材料的研究进展 | 第13-14页 |
| ·Ⅱ-Ⅵ族半导体一维纳米线阵列的研究 | 第14页 |
| ·模板法简介 | 第14-21页 |
| ·模板法的研究背景 | 第14-15页 |
| ·硬模板法 | 第15-21页 |
| ·多孔阳极氧化铝(AAO) | 第16页 |
| ·纳米压印技术 | 第16-17页 |
| ·介孔SBA-15模板法 | 第17-21页 |
| ·纳米线的组装方法以及与金属的接触方式 | 第21-24页 |
| ·电场组装 | 第22页 |
| ·一维半导体纳米材料和金属接触 | 第22-24页 |
| ·本论文的选题意义与思路及主要内容 | 第24-26页 |
| ·本论文的选题意义与思路 | 第24-25页 |
| ·本论文的主要研究内容 | 第25-26页 |
| 参考文献 | 第26-30页 |
| 第二章 SBA-15模板法合成半导体CdS与ZnS纳米线阵列 | 第30-52页 |
| ·文献综述 | 第30-33页 |
| ·硫化镉纳米线阵列的合成 | 第33-35页 |
| ·试剂与仪器 | 第33-34页 |
| ·实验部分 | 第34-35页 |
| ·CdS与ZnS纳米线阵列的表征 | 第35-45页 |
| ·CdS纳米线阵列的表征 | 第35-41页 |
| ·ZnS纳米线阵列的表征 | 第41-45页 |
| ·Cd1-xZnxS纳米线阵列的研究背景及表征 | 第45-48页 |
| ·结论 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-52页 |
| 第三章 半导体纳米线的电场组装和电子输运性质的研究 | 第52-64页 |
| ·背景 | 第52-55页 |
| ·组装机理 | 第53-54页 |
| ·实验过程 | 第54-55页 |
| ·单束纳米线阵列的光电输运性质研究 | 第55-61页 |
| ·CdS纳米线阵列的电输运性质研究 | 第55-59页 |
| ·ZnS纳米线阵列的电输运性质研究 | 第59-61页 |
| ·结论 | 第61-62页 |
| 参考文献 | 第62-64页 |
| 第四章 总结与展望 | 第64-66页 |
| ·工作总结 | 第64-65页 |
| ·问题和展望 | 第65-66页 |
| 硕士期间发表和已完成的论文 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67页 |