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激光技术在提高发光二极管光提取效率领域中的应用

摘要第1-15页
ABSTRACT第15-20页
第一章 绪论第20-61页
 §1.1 Ⅲ-Ⅴ族LED概述第20-33页
     ·Ⅲ-Ⅴ族半导体材料的光电特性第20-25页
     ·GaN基LED概述第25-29页
     ·AlGaInP四元LED概述第29-33页
 §1.2 LED芯片中的光提取过程第33-53页
     ·LED芯片光提取过程中的基本原理与问题第34-38页
     ·衬底优化设计第38-39页
     ·界面形貌调制技术-表面粗化第39-46页
     ·波矢匹配技术-光子晶体第46-48页
     ·反射镜与谐振腔设计第48-53页
 §1.3 研究目的与解决的主要问题第53-55页
 参考文献第55-61页
第二章 利用Ray-tracing仿真方法优化LED光提取效率第61-77页
 §2.1 引言第61-62页
 §2.2 GaN基蓝光LED的光提取分析第62-68页
     ·同面电极结构GaN基LED光提取分析与优化第65-67页
     ·垂直结构GaN蓝光LED光提取分析与优化第67-68页
 §2.3 AlGaInP四元红光LED的光提取分析第68-74页
     ·常规结构AlGaInP四元LED光提取效率的分析与优化第71-73页
     ·换衬底结构AlGaInP四元LED光提取效率的分析与优化第73-74页
 §2.4 本章小结第74-76页
 参考文献第76-77页
第三章 激光剥离技术对于GaN外延层面内应力的调控作用第77-88页
 §3.1 引言第77-78页
 §3.2 激光剥离前、后本征GaN外延层的应力测量与计算第78-85页
     ·X射线衍射分析第79-81页
     ·Raman光谱分析第81-83页
     ·光致发光光谱分析第83-85页
 §3.3 结论与分析第85页
 §3.4 本章小结第85-86页
 参考文献第86-88页
第四章 利用激光直写技术提高LED光提取效率第88-114页
 §4.1 引言第88-89页
 §4.2 利用激光直写技术提高LED光提取效率的可行性分析第89-93页
     ·加工设备的设计与搭建第89-92页
     ·激光直写技术引入的LED热损伤评估第92-93页
 §4.3 激光直写技术在GaN基蓝光LED中的应用第93-107页
     ·激光直写技术应用于GaN基蓝光同面电极结构LED第95-105页
     ·激光直写技术应用于GaN基蓝光垂直结构LED第105-107页
 §4.4 激光直写技术在AlGaInP四元LED中的应用第107-111页
     ·激光直写技术应用于AlGaInP四元常规结构LED第108-110页
     ·激光直写技术应用于AlGalnP四元换衬底结构LED第110-111页
 §4.5 本章小结第111-113页
 参考文献第113-114页
第五章 利用激光辅助粗化技术提高AlGaInP四元LED的光提取效率第114-143页
 §5.1 引言第114-116页
 §5.2 激光辅助腐蚀技术应用于AlGaInP四元LED的可行性分析第116-118页
 §5.3 GaAs衬底外延GaP扩展层的激光辅助腐蚀第118-132页
     ·激光波长对于GaP腐蚀形貌的调控第123-130页
     ·激光偏振态对于GaP腐蚀形貌的调控第130-132页
 §5.4 AlGaInP四元常规结构LED的激光辅助表面湿法粗化技术第132-140页
     ·工艺流程第132-135页
     ·裸芯光电性质表征第135-139页
     ·封装后光电参数第139-140页
 §5.5 本章小结第140-142页
 参考文献第142-143页
第六章 局域耦合效应应用于激光辅助腐蚀技术的探索第143-161页
 §6.1 引言第143-146页
 §6.2 金属/半导体纳米异质结构的制备第146-148页
 §6.3 金属/半导体纳米异质结构的光学性质表征第148-150页
 §6.4 金属/半导体纳米异质结构应用于激光辅助腐蚀技术第150-158页
     ·Au/GaP纳米异质结构的激光辅助腐蚀第150-154页
     ·Ag/GaP纳米异质结构的激光辅助腐蚀第154-158页
 §6.5 金属/半导体纳米异质结构对于激光辅助腐蚀反应的调控分析第158-159页
 §6.6 本章小结第159-160页
 参考文献第160-161页
第七章 结论与未来展望第161-165页
 主要结论第161-164页
 论文创新点第164页
 需要进一步研究的问题第164-165页
致谢第165-167页
攻读博士期间已发表的论文第167-168页
英文论著第168-176页
附件第176页

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