| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-17页 |
| ·MEMS 概述 | 第8-14页 |
| ·MEMS 基本概念 | 第8-9页 |
| ·MEMS 的制造技术 | 第9-12页 |
| ·MEMS 技术的发展趋势 | 第12-13页 |
| ·MEMS 微热传感器 | 第13-14页 |
| ·本论文研究的目的及开展的工作 | 第14-16页 |
| ·本章小结 | 第16-17页 |
| 第2章 多孔硅概述 | 第17-27页 |
| ·多孔硅研究的背景和意义 | 第17-18页 |
| ·多孔硅形成机制 | 第18-21页 |
| ·Beale 耗尽模型 | 第18页 |
| ·扩散限制模型 | 第18-19页 |
| ·量子限制模型 | 第19-21页 |
| ·多孔硅制备方法 | 第21-23页 |
| ·电化学腐蚀法 | 第21页 |
| ·化学腐蚀法 | 第21-22页 |
| ·原电池法 | 第22页 |
| ·其他制备方法 | 第22-23页 |
| ·多孔硅的特性及其在MEMS 中的应用 | 第23-26页 |
| ·多孔硅在MEMS 中的优势特性 | 第23-25页 |
| ·多孔硅在MEMS 中的应用现状 | 第25-26页 |
| ·本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 多孔硅的制备及基本性质研究 | 第27-42页 |
| ·双槽电化学腐蚀法制备多孔硅 | 第27-35页 |
| ·制备原理及装置 | 第27-28页 |
| ·实验方法及步骤 | 第28-30页 |
| ·多孔硅结构的分析与研究 | 第30-35页 |
| ·多孔硅热导率的测量方法 | 第35-37页 |
| ·微拉曼光谱法（Micro-Raman Spectroscopy） | 第36页 |
| ·温度传感器法（Thermal Sensors） | 第36页 |
| ·光声法（Photoacoustic Technique） | 第36-37页 |
| ·热波法（Thermal Wave Method） | 第37页 |
| ·多孔硅热导率理论推导 | 第37-40页 |
| ·多孔硅热导率的影响因素 | 第40-41页 |
| ·本章小结 | 第41-42页 |
| 第4章 多孔硅基热敏传感器的制备工艺 | 第42-53页 |
| ·微机械热电堆热敏传感器的基本特性 | 第42-44页 |
| ·工作原理 | 第42页 |
| ·热电堆组成材料 | 第42-43页 |
| ·热电堆性能解析分析 | 第43-44页 |
| ·加工工艺概述 | 第44-47页 |
| ·薄膜制备工艺 | 第44-45页 |
| ·掺杂工艺 | 第45-46页 |
| ·刻蚀工艺 | 第46-47页 |
| ·热电堆型热敏传感器的工艺设计和模拟 | 第47-52页 |
| ·多孔硅基上热电堆结构的设计研究 | 第47-48页 |
| ·IntelliSuite 软件 | 第48-49页 |
| ·制备工艺方案的设计和模拟 | 第49-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 结果分析及软件模拟 | 第53-66页 |
| ·不同软件下热电堆传感器的模拟结果 | 第53-62页 |
| ·Intellisuite 模拟分析 | 第53-57页 |
| ·Ansys 有限元分析 | 第57-62页 |
| ·多孔硅的 Ansys 绝热性能模拟 | 第62-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 第6章 后续电路的设计研究 | 第66-78页 |
| ·冷端温度补偿电路的设计实现 | 第66-69页 |
| ·热电偶冷端温度补偿的意义 | 第66页 |
| ·冷端温度补偿的方法 | 第66-68页 |
| ·冷端温度补偿电路的设计 | 第68-69页 |
| ·后续测控电路的设计 | 第69-77页 |
| ·硬件电路设计 | 第69-74页 |
| ·软件设计 | 第74-77页 |
| ·本章小结 | 第77-78页 |
| 结论 | 第78-80页 |
| 参考文献 | 第80-85页 |
| 附录 | 第85-86页 |
| 致谢 | 第86页 |
