磁控溅射法沉积硅薄膜的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-26页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·硅薄膜太阳电池的研究现状 | 第12-14页 |
| ·非晶硅薄膜 | 第14-19页 |
| ·非晶硅的结构 | 第15-16页 |
| ·非晶硅材料的光电特性 | 第16-18页 |
| ·非晶态半导体的导电特性 | 第18-19页 |
| ·多晶硅薄膜 | 第19-22页 |
| ·多晶硅薄膜的结构特点 | 第19-20页 |
| ·多晶硅薄膜的光电性能 | 第20-21页 |
| ·多晶硅的电学输运机制 | 第21-22页 |
| ·其他单晶/非晶混相硅基材料 | 第22-23页 |
| ·单结、多结太阳电池的结构及光伏机理 | 第23-24页 |
| ·选题的目的及实验内容 | 第24-26页 |
| 第2章 磁控溅射和薄膜生长 | 第26-35页 |
| ·磁控溅射法沉积薄膜 | 第26-31页 |
| ·磁控溅射原理 | 第26-27页 |
| ·溅射法分类 | 第27-30页 |
| ·磁控溅射特点 | 第30页 |
| ·影响磁控溅射法制备氢化硅薄膜的因素 | 第30-31页 |
| ·薄膜的生长机理 | 第31-33页 |
| ·薄膜中的缺陷 | 第33-34页 |
| ·薄膜的致密度 | 第34-35页 |
| 第3章 实验部分 | 第35-38页 |
| ·玻璃基片的清洗 | 第35页 |
| ·溅射设备及主要参数 | 第35页 |
| ·薄膜试样的结构和性能表征方法 | 第35-38页 |
| ·薄膜结构的测定 | 第35-36页 |
| ·光学性能测定 | 第36页 |
| ·红外光谱分析测试 | 第36页 |
| ·NKD7000W测试设备 | 第36-37页 |
| ·X射线光电子能谱 | 第37-38页 |
| 第4章 工艺参数对薄膜光学常数的影响 | 第38-53页 |
| ·引言 | 第38-41页 |
| ·非晶态半导体的光学带隙 | 第38-39页 |
| ·影响光学带隙的因素 | 第39页 |
| ·非晶态半导体的光吸收 | 第39-41页 |
| ·溅射氢气分压对薄膜结构及性能的影响 | 第41-45页 |
| ·氢分压对薄膜光学带隙的影响 | 第41-43页 |
| ·氢分压对薄膜折射率的影响 | 第43-44页 |
| ·氢分压对薄膜吸收系数和消光系数的影响 | 第44-45页 |
| ·溅射基片温度对薄膜结构及光电性能的影响 | 第45-48页 |
| ·基片温度对薄膜光学带隙的影响 | 第45-47页 |
| ·基片温度对薄膜折射率的影响 | 第47-48页 |
| ·基片温度对薄膜吸收系数和消光系数的影响 | 第48页 |
| ·溅射电流对薄膜结构及光电性能的影响 | 第48-52页 |
| ·溅射电流对薄膜光学带隙的影响 | 第49-50页 |
| ·溅射电流对薄膜折射率的影响 | 第50-52页 |
| ·本章小结 | 第52-53页 |
| 第5章 Si薄膜的结构和成分分析 | 第53-67页 |
| ·Raman光谱表征工艺参数对薄膜结构的影响 | 第53-60页 |
| ·引言 | 第53页 |
| ·氢气分压对薄膜结构的影响 | 第53-55页 |
| ·基片温度对薄膜结构的影响 | 第55-57页 |
| ·溅射功率对薄膜结构的影响 | 第57-58页 |
| ·放置时间对薄膜有序度的影响 | 第58-60页 |
| ·NKD7000W表征工艺参数对沉积速率的影响 | 第60-62页 |
| ·氢气分压对薄膜沉积速率的影响 | 第60-61页 |
| ·衬底温度对沉积速率的影响 | 第61页 |
| ·溅射功率对薄膜沉积速率的影响 | 第61-62页 |
| ·红外透射光谱分析 | 第62-63页 |
| ·Si薄膜的XPS分析 | 第63-65页 |
| ·本章小结 | 第65-67页 |
| 第6章 结论 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
| 硕士期间所发表论文 | 第76页 |
