硅氢薄膜RF磁控溅射法制备工艺及结构研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-22页 |
| ·太阳能电池的研究意义及光伏产业现状 | 第8-9页 |
| ·太阳能电池的工作原理 | 第9-12页 |
| ·P 型半导体与 N 型半导体 | 第9页 |
| ·PN 结与内建电场 | 第9-10页 |
| ·光在半导体中的吸收过程 | 第10页 |
| ·光生伏特效应 | 第10-11页 |
| ·太阳能电池的性能参数 | 第11-12页 |
| ·硅基太阳能电池材料 | 第12-16页 |
| ·单晶硅太阳能电池 | 第13页 |
| ·多晶硅太阳能电池 | 第13页 |
| ·硅薄膜太阳能电池 | 第13-16页 |
| ·氢化非晶硅太阳能电池 | 第14页 |
| ·氢化微晶硅太阳能电池 | 第14-15页 |
| ·氢化纳米晶硅太阳能电池 | 第15页 |
| ·多晶硅薄膜太阳能电池 | 第15-16页 |
| ·硅氢薄膜的制备方法 | 第16-20页 |
| ·化学气相沉积技术（CVD） | 第16-17页 |
| ·等离子增强化学气相沉积（PECVD） | 第16-17页 |
| ·热丝化学气相沉积（HWCVD） | 第17页 |
| ·磁控溅射技术 | 第17-20页 |
| ·磁控溅射技术历史及现状 | 第17-18页 |
| ·磁控溅射法的优点 | 第18页 |
| ·影响磁控溅射薄膜性能的因素 | 第18-19页 |
| ·溅射原理 | 第19页 |
| ·溅射特点 | 第19-20页 |
| ·溅射法制备硅氢薄膜研究进展 | 第20-21页 |
| ·本课题的研究目的及内容 | 第21-22页 |
| 第二章 试验 | 第22-29页 |
| ·试验原料与设备 | 第22页 |
| ·试验过程及方法 | 第22-25页 |
| ·基底清洗 | 第23页 |
| ·硅氢薄膜制备 | 第23-25页 |
| ·薄膜表征方法 | 第25-29页 |
| ·薄膜厚度测量 | 第25-27页 |
| ·干涉显微法测量薄膜厚度原理 | 第25-26页 |
| ·薄膜厚度计算 | 第26-27页 |
| ·喇曼（Raman）光谱 | 第27-28页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第28页 |
| ·X 射线衍射分析 | 第28-29页 |
| 第三章 硅薄膜沉积速率的测定 | 第29-34页 |
| ·氢气分压对硅薄膜沉积速率的影响 | 第29-31页 |
| ·射频功率对薄膜沉积速率的影响 | 第31-32页 |
| ·气压对沉积速率的影响 | 第32-34页 |
| 第四章 溅射工艺对硅氢薄膜结构的影响 | 第34-46页 |
| ·氢气分压对硅氢薄膜结构的影响 | 第34-38页 |
| ·射频功率对硅氢薄膜结构的影响 | 第38-40页 |
| ·衬底对硅薄膜结构的影响 | 第40-42页 |
| ·衬底温度对硅氢薄膜结构的影响 | 第42-46页 |
| 第五章 硅氢薄膜太阳能电池的制备 | 第46-50页 |
| ·中纯硅衬底的选择 | 第47页 |
| ·溅射法制备硅氢薄膜太阳能电池 | 第47-48页 |
| ·电池性能测试结果及分析 | 第48-50页 |
| 第六章 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-54页 |
| 致谢 | 第54-55页 |
| 附录 | 第55页 |
