摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-9页 |
创新点摘要 | 第9-13页 |
前言 | 第13-27页 |
·题目来源及研究意义 | 第13-14页 |
·相关领域研究现状 | 第14-24页 |
·高分辨率层序地层学相关技术方法研究现状及发展趋势 | 第14-19页 |
·隐蔽油气藏的研究现状及发展趋势 | 第19-23页 |
·油气成藏理论的研究现状及发展趋势 | 第23-24页 |
·主要研究内容及研究思路 | 第24-26页 |
·主要研究内容 | 第24-26页 |
·研究思路与技术路线 | 第26页 |
·完成的主要工作量 | 第26-27页 |
第一章 区域地质背景 | 第27-35页 |
·构造位置及分区 | 第27-28页 |
·构造演化特征 | 第28-30页 |
·区域地层特征 | 第30-33页 |
·研究区概况 | 第33-35页 |
第二章 高分辨率层序地层学的基础理论与研究方法 | 第35-48页 |
·高分辨率层序地层学的基础理论 | 第35-40页 |
·地层基准面原理 | 第35-37页 |
·体积分配原理 | 第37-38页 |
·“相”分异原理 | 第38-40页 |
·高分辨率层序地层学研究方法 | 第40-48页 |
·基准面旋回识别 | 第40-46页 |
·基准面旋回等时对比原则 | 第46-48页 |
第三章 葡萄花油层高分辨率层序地层分析 | 第48-64页 |
·葡萄花油层高分辨率层序地层划分 | 第48-56页 |
·葡萄花油层基准面旋回界面特征及识别标志 | 第48-50页 |
·葡萄花油层高分辨率层序地层划分 | 第50-53页 |
·各级次基准面旋回层序特征 | 第53-56页 |
·葡萄花油层高分辨率层序地层格架建立 | 第56-62页 |
·河流三角洲体系短期基准面旋回层序对比方法研究 | 第56-58页 |
·高分辨率层序地层格架建立的方法与具体步骤 | 第58-60页 |
·葡萄花油层层序地层格架建立及短期基准面旋回层序对比 | 第60-61页 |
·研究区目的层与三肇凹陷葡萄花油层的层位对应关系 | 第61-62页 |
·葡萄花油层高分辨率层序地层分析 | 第62-64页 |
·垂向沉积层序演化分析 | 第62页 |
·层序地层构型分析 | 第62-64页 |
第四章 物源及沉积体系分析 | 第64-93页 |
·物源分析 | 第64-71页 |
·物源分析方法及其研究进展 | 第64-65页 |
·三肇凹陷东部葡萄花油层物源综合分析 | 第65-71页 |
·葡萄花油层沉积体系类型及特征研究 | 第71-87页 |
·沉积相标志 | 第71-74页 |
·沉积相~微相类型及特征 | 第74-81页 |
·测井微相识别与模式建立 | 第81-83页 |
·河道砂体地震属性分析 | 第83-87页 |
·葡萄花油层单井沉积微相分析 | 第87-91页 |
·树124 井葡萄花油层沉积微相分析 | 第87-89页 |
·州9 井葡萄花油层沉积微相分析 | 第89-91页 |
·层序格架控制下的联井沉积微相分析 | 第91-93页 |
第五章 短期基准面旋回层序沉积微相研究 | 第93-107页 |
·密井网开发区短期基准面旋回层序沉积微相精细解剖 | 第93-95页 |
·全区短期基准面旋回层序沉积微相研究 | 第95-100页 |
·三肇凹陷东部葡萄花油层单砂体预测 | 第100-102页 |
·有利储层类型(微相) | 第100-101页 |
·葡萄花油层单砂体成因预测 | 第101-102页 |
·微相控单砂体预测 | 第102页 |
·葡萄花油层沉积模式探讨 | 第102-107页 |
第六章 油气成藏模式及油气富集规律研究 | 第107-135页 |
·油藏类型及油水分布规律 | 第107页 |
·区域油气成藏模式 | 第107-118页 |
·区域成藏条件及控制因素分析 | 第107-115页 |
·区域成藏模式研究 | 第115-118页 |
·三级构造成藏模式研究 | 第118-123页 |
·三级构造成藏条件分析 | 第119-120页 |
·三级构造关键控油因素分析 | 第120-122页 |
·三级构造中的圈闭与成藏 | 第122-123页 |
·单一圈闭控藏模式研究 | 第123-130页 |
·密井网开发区单一圈闭控藏模式剖析 | 第123-127页 |
·单一圈闭形成机理及控藏模式研究 | 第127-130页 |
·葡萄花油层有利评价目标区优选 | 第130-135页 |
·基于区域—三级构造成藏模式的有利区预测 | 第130-131页 |
·基于单一圈闭控藏模式的有利区预测 | 第131-135页 |
结论与认识 | 第135-136页 |
参考文献 | 第136-146页 |
发表文章目录 | 第146-147页 |
致谢 | 第147-149页 |
详细摘要 | 第149-171页 |