太阳电池窗口层碳化硅薄膜的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| §1.1 太阳电池概述 | 第8-12页 |
| ·太阳电池发展背景及现实意义 | 第8-9页 |
| ·太阳电池的种类及发展状况 | 第9-12页 |
| §1.2 非晶硅薄膜太阳电池的现状及发展方向 | 第12-14页 |
| §1.3 本论文的主要研究内容及组织 | 第14-17页 |
| ·本论文的研究内容 | 第14-15页 |
| ·本论文的组织 | 第15-17页 |
| 第二章 非晶硅薄膜材料的制备工艺、生长原理及特性 | 第17-34页 |
| §2.1 非晶硅薄膜材料的制备工艺 | 第18-23页 |
| ·真空蒸镀 | 第18-19页 |
| ·离子镀和离子束沉积 | 第19-21页 |
| ·溅射镀膜 | 第21-22页 |
| ·化学气相沉积 | 第22-23页 |
| §2.2 非晶硅薄膜的成膜原理 | 第23-28页 |
| ·薄膜生长过程概述 | 第23-24页 |
| ·新相的自发形核 | 第24-27页 |
| ·连续薄膜的形成 | 第27-28页 |
| §2.3 非晶态半导体的特性 | 第28-34页 |
| ·非晶态半导体的带隙 | 第28-31页 |
| ·非晶态半导体的光学特性 | 第31-34页 |
| 第三章 实验设计及测试 | 第34-43页 |
| §3.1 试验材料 | 第34-35页 |
| ·原料气体 | 第34页 |
| ·衬底材料 | 第34-35页 |
| §3.2 沉积设备及沉积工艺 | 第35-38页 |
| ·PECVD薄膜沉积主要设备简介 | 第35-37页 |
| ·非晶碳化硅薄膜的制备过程 | 第37-38页 |
| §3.3 测试仪器和测试方法 | 第38-43页 |
| ·椭偏仪 | 第38-39页 |
| ·原子力显微镜AFM | 第39-40页 |
| ·激光拉曼光谱仪 | 第40-41页 |
| ·电导率测试 | 第41-43页 |
| 第四章 薄膜PIN太阳电池窗口层材料的研究 | 第43-61页 |
| §4.1 本征层材料的研究 | 第43-48页 |
| ·本征层浓度对本征层材料的影响 | 第44-45页 |
| ·生长室压强对本征材料的影响 | 第45-47页 |
| ·本征非晶硅材料的带隙和电导率 | 第47-48页 |
| §4.2 碳化硅材料的研究 | 第48-55页 |
| ·衬底温度对碳化硅薄膜的影响 | 第49-51页 |
| ·射频功率对碳化硅材料的影响 | 第51-53页 |
| ·生长时间对碳化硅薄膜的影响 | 第53-55页 |
| §4.3 掺硼碳化硅材料的研究 | 第55-61页 |
| ·非晶碳化硅掺硼对薄膜的影响 | 第56-60页 |
| ·掺硼碳化硅薄膜的形貌分析 | 第60-61页 |
| 第五章 总结 | 第61-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 硕士期间参与的研究课题 | 第68页 |
