| 摘要 | 第4-7页 |
| Abstract | 第7-15页 |
| 文中缩略词全称及中文对照表 | 第18-20页 |
| 第一章 绪论 | 第20-40页 |
| 1.1 论文研究背景 | 第20-32页 |
| 1.1.1 从半导体硅基微电子器件到硅基纳米光电器件 | 第20-24页 |
| 1.1.2 硅基纳米光电材料及器件技术的研究进展 | 第24-27页 |
| 1.1.3 稀土掺杂硅基光电材料的研究进展 | 第27-32页 |
| 1.2 本文的目的及主要内容 | 第32-35页 |
| 参考文献 | 第35-40页 |
| 第二章 胶态硅量子点的合成及表面功能化 | 第40-63页 |
| 2.1 引言 | 第40-44页 |
| 2.1.1 胶态量子点光电材料的合成与应用进展 | 第40-41页 |
| 2.1.2 硅量子点材料的研究现状 | 第41-44页 |
| 2.2 硅量子点的合成、刻蚀与表面功能化 | 第44-49页 |
| 2.3 硅量子点的结构、尺寸和表面化学表征 | 第49-54页 |
| 2.4 硅量子点的荧光性质 | 第54-57页 |
| 本章小结 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 第三章 基于胶态硅量子点的光电二极管原型器件的制备与研究 | 第63-85页 |
| 3.1 前言 | 第63-65页 |
| 3.2 功能化硅量子点墨水的制备 | 第65-72页 |
| 3.3 光电二极管原型器件的结构设计 | 第72-75页 |
| 3.4 光电二极管原型器件的光电性质 | 第75-80页 |
| 本章小结 | 第80-82页 |
| 参考文献 | 第82-85页 |
| 第四章 氧化物半导体量子点掺杂的二氧化硅薄膜的制备及光学性质 | 第85-109页 |
| 4.1 前言 | 第85-88页 |
| 4.2 氧化物半导体量子点的合成及光学性质 | 第88-95页 |
| 4.2.1 分立SnO_2纳米晶体的常温液相合成 | 第88-92页 |
| 4.2.2 后退火对SnO_2纳米晶体颗粒的影响 | 第92-95页 |
| 4.3 氧化物半导体量子点掺杂二氧化硅薄膜的合成及光学性质 | 第95-104页 |
| 4.3.1 薄膜的合成及表征 | 第95-102页 |
| 4.3.2 薄膜的荧光性质 | 第102-104页 |
| 本章小结 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-109页 |
| 第五章 稀土离子与氧化物半导体量子点共掺二氧化硅薄膜中能量传递过程及荧光增强效应 | 第109-130页 |
| 5.1 引言 | 第109-111页 |
| 5.2 稀土掺杂二氧化硅薄膜的荧光性质 | 第111-114页 |
| 5.3 氧化物半导体量子点与Eu~(3+)离子共掺二氧化硅薄膜的荧光性质 | 第114-119页 |
| 5.4 氧化物半导体量子点与Er~(3+)离子共掺二氧化硅薄膜的荧光性质 | 第119-122页 |
| 5.5 共掺薄膜中能量传递过程及荧光增强效应的讨论 | 第122-127页 |
| 本章小结 | 第127-128页 |
| 参考文献 | 第128-130页 |
| 第六章 总结与展望 | 第130-136页 |
| 6.1 本文主要工作总结 | 第130-133页 |
| 6.2 本论文主要创新点 | 第133-134页 |
| 6.3 未来研究工作展望 | 第134-136页 |
| 攻读博士学位期间发表论文 | 第136-138页 |
| 致谢 | 第138-140页 |
