摘要 | 第3-5页 |
abstract | 第5-6页 |
第一章 绪论 | 第9-25页 |
1.1 引言 | 第9页 |
1.2 铌酸锂的性质及其应用 | 第9-13页 |
1.2.1 铌酸锂的基本性质 | 第9-11页 |
1.2.2 铌酸锂的常见应用 | 第11-12页 |
1.2.3 铌酸锂薄膜的制备 | 第12-13页 |
1.3 铌酸锂的非线性效应 | 第13-16页 |
1.3.1 铌酸锂的介电张量矩阵 | 第13页 |
1.3.2 铌酸锂的倍频理论 | 第13-16页 |
1.4 基于多种薄膜材料的光子集成研究现状 | 第16-21页 |
1.5 基于铌酸锂薄膜的光子集成研究现状 | 第21-23页 |
1.6 论文研究内容和章节安排 | 第23-25页 |
第二章 基于铌酸锂平面薄膜的倍频 | 第25-39页 |
2.1 引言 | 第25页 |
2.2 基本的理论研究方法 | 第25-29页 |
2.3 铌酸锂薄膜平面波导的倍频 | 第29-35页 |
2.3.1 平面波导的相位匹配条件 | 第29-31页 |
2.3.2 同厚度两种不同类型的相位匹配 | 第31-34页 |
2.3.3 不同厚度薄膜的相位匹配 | 第34-35页 |
2.4 铌酸锂薄膜平面波导倍频的实验验证 | 第35-37页 |
2.4.1 铌酸锂薄膜平面波导倍频的实验设计 | 第35-36页 |
2.4.2 铌酸锂薄膜平面波导的倍频实验结果 | 第36-37页 |
2.5 本章小结 | 第37-39页 |
第三章 基于铌酸锂薄膜的回音壁微腔倍频 | 第39-50页 |
3.1 引言 | 第39页 |
3.2 铌酸锂回音壁微腔 | 第39-43页 |
3.2.1 回音壁微腔的基本性质 | 第39-41页 |
3.2.2 微腔耦合系统 | 第41-42页 |
3.2.3 铌酸锂薄膜制备回音壁微腔的研究现状 | 第42-43页 |
3.3 铌酸锂回音壁微腔中的倍频 | 第43-47页 |
3.3.1 回音壁微腔中的倍频条件 | 第43-44页 |
3.3.2 铌酸锂回音壁微腔倍频分析 | 第44-47页 |
3.4 多波长转换过程的研究和微腔制备 | 第47-49页 |
3.4.1 微腔多波长转换过程实现的方式 | 第47页 |
3.4.2 薄膜微腔的实验制备 | 第47-49页 |
3.5 本章小结 | 第49-50页 |
第四章 基于铌酸锂光子晶体的新型全光逻辑门和半加器设计 | 第50-65页 |
4.1 引言 | 第50页 |
4.2 光子晶体的缺陷结构 | 第50-54页 |
4.2.1 光子晶体的基本性质 | 第50-51页 |
4.2.2 光子晶体缺陷微腔 | 第51-52页 |
4.2.3 光子晶体缺陷波导 | 第52-54页 |
4.3 二维铌酸锂介质柱光子晶体的缺陷波导和微腔结构 | 第54-59页 |
4.3.1 基于铌酸锂的光子晶体能带结构分析 | 第54-56页 |
4.3.2 基于光子晶体W1 波导的双光干涉 | 第56-58页 |
4.3.3 光子晶体L2 缺陷微腔对波导的导光影响 | 第58-59页 |
4.4 基于铌酸锂二维光子晶体的全光逻辑门和半加器 | 第59-62页 |
4.4.1 基于光子晶体的全光基础逻辑门 | 第59-60页 |
4.4.2 基于光子晶体的全光逻辑门FDTD模拟 | 第60-61页 |
4.4.3 基于光子晶体的高效全光半加器设计 | 第61-62页 |
4.5 铌酸锂薄膜光子晶体的延伸 | 第62-64页 |
4.5.1 二维光子晶体与薄膜光子晶体的相关性 | 第62-63页 |
4.5.2 铌酸锂薄膜制备光子晶体 | 第63-64页 |
4.6 本章小结 | 第64-65页 |
第五章 结论与展望 | 第65-66页 |
5.1 主要工作与创新点 | 第65页 |
5.2 后续研究工作 | 第65-66页 |
参考文献 | 第66-71页 |
致谢 | 第71-72页 |
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第72-74页 |