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基于铌酸锂薄膜的光子集成基础器件研究

摘要第3-5页
abstract第5-6页
第一章 绪论第9-25页
    1.1 引言第9页
    1.2 铌酸锂的性质及其应用第9-13页
        1.2.1 铌酸锂的基本性质第9-11页
        1.2.2 铌酸锂的常见应用第11-12页
        1.2.3 铌酸锂薄膜的制备第12-13页
    1.3 铌酸锂的非线性效应第13-16页
        1.3.1 铌酸锂的介电张量矩阵第13页
        1.3.2 铌酸锂的倍频理论第13-16页
    1.4 基于多种薄膜材料的光子集成研究现状第16-21页
    1.5 基于铌酸锂薄膜的光子集成研究现状第21-23页
    1.6 论文研究内容和章节安排第23-25页
第二章 基于铌酸锂平面薄膜的倍频第25-39页
    2.1 引言第25页
    2.2 基本的理论研究方法第25-29页
    2.3 铌酸锂薄膜平面波导的倍频第29-35页
        2.3.1 平面波导的相位匹配条件第29-31页
        2.3.2 同厚度两种不同类型的相位匹配第31-34页
        2.3.3 不同厚度薄膜的相位匹配第34-35页
    2.4 铌酸锂薄膜平面波导倍频的实验验证第35-37页
        2.4.1 铌酸锂薄膜平面波导倍频的实验设计第35-36页
        2.4.2 铌酸锂薄膜平面波导的倍频实验结果第36-37页
    2.5 本章小结第37-39页
第三章 基于铌酸锂薄膜的回音壁微腔倍频第39-50页
    3.1 引言第39页
    3.2 铌酸锂回音壁微腔第39-43页
        3.2.1 回音壁微腔的基本性质第39-41页
        3.2.2 微腔耦合系统第41-42页
        3.2.3 铌酸锂薄膜制备回音壁微腔的研究现状第42-43页
    3.3 铌酸锂回音壁微腔中的倍频第43-47页
        3.3.1 回音壁微腔中的倍频条件第43-44页
        3.3.2 铌酸锂回音壁微腔倍频分析第44-47页
    3.4 多波长转换过程的研究和微腔制备第47-49页
        3.4.1 微腔多波长转换过程实现的方式第47页
        3.4.2 薄膜微腔的实验制备第47-49页
    3.5 本章小结第49-50页
第四章 基于铌酸锂光子晶体的新型全光逻辑门和半加器设计第50-65页
    4.1 引言第50页
    4.2 光子晶体的缺陷结构第50-54页
        4.2.1 光子晶体的基本性质第50-51页
        4.2.2 光子晶体缺陷微腔第51-52页
        4.2.3 光子晶体缺陷波导第52-54页
    4.3 二维铌酸锂介质柱光子晶体的缺陷波导和微腔结构第54-59页
        4.3.1 基于铌酸锂的光子晶体能带结构分析第54-56页
        4.3.2 基于光子晶体W1 波导的双光干涉第56-58页
        4.3.3 光子晶体L2 缺陷微腔对波导的导光影响第58-59页
    4.4 基于铌酸锂二维光子晶体的全光逻辑门和半加器第59-62页
        4.4.1 基于光子晶体的全光基础逻辑门第59-60页
        4.4.2 基于光子晶体的全光逻辑门FDTD模拟第60-61页
        4.4.3 基于光子晶体的高效全光半加器设计第61-62页
    4.5 铌酸锂薄膜光子晶体的延伸第62-64页
        4.5.1 二维光子晶体与薄膜光子晶体的相关性第62-63页
        4.5.2 铌酸锂薄膜制备光子晶体第63-64页
    4.6 本章小结第64-65页
第五章 结论与展望第65-66页
    5.1 主要工作与创新点第65页
    5.2 后续研究工作第65-66页
参考文献第66-71页
致谢第71-72页
攻读硕士学位期间已发表或录用的论文第72-74页

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