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WO3/g-C3N4基复合光催化剂的改性及其光催化性能的研究

摘要第3-4页
abstract第4-5页
第1章 绪论第9-23页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 光催化技术简介第10-13页
        1.2.1 光催化降解技术原理第10-11页
        1.2.2 影响光催化活性的因素第11-13页
    1.3 g-C_3N_4和WO_3光催化材料的研究进展第13-19页
        1.3.1 g-C_3N_4 光催化材料介绍及研究进展第13-16页
        1.3.2 WO_3 光催化材料介绍及研究进展第16-19页
    1.4 光催化剂助剂简介第19-21页
        1.4.1 还原型助剂第19-21页
        1.4.2 氧化型助剂第21页
    1.5 课题研究背景及意义第21-22页
    1.6 论文研究的内容第22-23页
第2章 WO_3NS/g-C_3N_4NS光催化降解罗丹明B第23-41页
    2.1 引言第23-24页
    2.2 实验试剂及仪器第24-25页
        2.2.1 实验试剂第24页
        2.2.2 实验仪器第24-25页
    2.3 实验部分第25-27页
        2.3.1 复合光催化剂的制备第25-26页
        2.3.2 催化剂表征第26页
        2.3.3 光催化性能测试第26-27页
    2.4 结果与讨论第27-38页
        2.4.1 X射线衍射(XRD)分析第27-28页
        2.4.2 扫描电镜(SEM)分析第28-29页
        2.4.3 傅里叶变换红外光谱(FT-IR)分析第29页
        2.4.4 紫外-可见光漫反射光谱(UV-Vis DRS)分析第29-30页
        2.4.5 X射线光电子能谱(XPS)分析第30-32页
        2.4.6 光催化性能测试第32-34页
        2.4.7 光致发光光谱(PL)分析第34-35页
        2.4.8 循环稳定性测试第35-36页
        2.4.9 光催化机理分析第36-38页
    2.5 小结第38-41页
第3章 助剂修饰提高WO_3/g-C_3N_4 NS的光催化性能第41-51页
    3.1 引言第41-42页
    3.2 实验试剂及仪器第42-43页
        3.2.1 实验试剂第42页
        3.2.2 实验仪器第42-43页
    3.3 实验部分第43-44页
        3.3.1 复合光催化剂的制备第43页
        3.3.2 催化剂表征第43-44页
        3.3.3 光催化性能测试第44页
    3.4 结果与讨论第44-50页
        3.4.1 X射线衍射(XRD)分析第44-45页
        3.4.2 透射电镜(TEM)分析第45-46页
        3.4.3 傅里叶变换红外光谱(FT-IR)分析第46-47页
        3.4.4 紫外-可见光漫反射光谱(UV-Vis DRS)分析第47-48页
        3.4.5 光催化性能测试第48-50页
    3.5 小结第50-51页
第4章 双助剂修饰提高WO_3/g-C_3N_4 NS的光催化性能第51-63页
    4.1 引言第51页
    4.2 实验试剂及仪器第51-52页
        4.2.1 实验试剂第51页
        4.2.2 实验仪器第51-52页
    4.3 实验部分第52-54页
        4.3.1 复合光催化剂的制备第52-53页
        4.3.2 催化剂表征第53页
        4.3.3 光催化性能测试第53-54页
    4.4 结果与讨论第54-61页
        4.4.1 X射线衍射(XRD)分析第54页
        4.4.2 透射电镜(TEM)分析第54-55页
        4.4.3 傅里叶变换红外光谱(FT-IR)分析第55-56页
        4.4.4 紫外-可见光漫反射光谱(UV-Vis DRS)分析第56-57页
        4.4.5 光催化性能测试第57-59页
        4.4.6 循环稳定性测试第59-60页
        4.4.7 双助剂修饰WO_3/g-C_3N_4 NS的机理第60-61页
    4.5 小结第61-63页
第5章 结论与展望第63-65页
    5.1 结论第63-64页
    5.2 展望第64-65页
参考文献第65-79页
发表论文和参加科研情况说明第79-80页
致谢第80页

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