三维谐振腔和背腔微带天线的电磁特性TDFEM分析
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·计算电磁学的发展状况 | 第10-14页 |
| ·计算电磁学的发展背景及重要性 | 第10-11页 |
| ·数值计算方法概述 | 第11-13页 |
| ·计算电磁学的关键技术 | 第13-14页 |
| ·时域有限元方法的研究现状 | 第14页 |
| ·本文的主要工作 | 第14-15页 |
| 第二章 三维时域有限元方法 | 第15-25页 |
| ·引言 | 第15页 |
| ·三维时域有限元方法的空间离散技术 | 第15-23页 |
| ·有限元里兹方法简介 | 第15-17页 |
| ·计算区域离散技术 | 第17-18页 |
| ·离散单元的插值技术 | 第18-21页 |
| ·TDFEM 中单元矩阵计算 | 第21-23页 |
| ·三维时域有限元方法中的时间步离散技术 | 第23-24页 |
| ·本章小结 | 第24-25页 |
| 第三章 三维谐振腔电磁特性TDFEM 分析 | 第25-30页 |
| ·引言 | 第25页 |
| ·公式推导 | 第25-26页 |
| ·计算结果及分析 | 第26-29页 |
| ·矩形谐振腔 | 第27-28页 |
| ·圆柱谐振腔 | 第28页 |
| ·槽结构谐振腔 | 第28-29页 |
| ·本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 背腔微带天线的电磁特性TDFEM 分析 | 第30-45页 |
| ·引言 | 第30页 |
| ·时域有限元方法中Mur 吸收边界条件 | 第30-32页 |
| ·Mur 吸收边界条件基本理论 | 第31页 |
| ·数值计算结果及分析 | 第31-32页 |
| ·背腔微带天线TDFEM 分析 | 第32-35页 |
| ·TDFEM 泛函推导 | 第32-34页 |
| ·天线馈源和负载的模拟 | 第34-35页 |
| ·数值结果及分析 | 第35-44页 |
| ·50Ω负载下天线输入阻抗频域有限元方法分析 | 第35-37页 |
| ·50Ω负载下输入阻抗TDFEM 分析 | 第37-39页 |
| ·无负载条件下输入阻抗TDFEM 分析 | 第39-40页 |
| ·短路条件下输入阻抗TDFEM 分析 | 第40-41页 |
| ·参数τ及Δt 探讨 | 第41-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第五章 结论与展望 | 第45-47页 |
| 参考文献 | 第47-52页 |
| 致谢 | 第52-53页 |
| 攻读硕士期间发表学术论文及参加项目 | 第53页 |
