高速光接收器件TO封装工艺及测试
| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 光探测器的发展 | 第10-14页 |
| 1.1.1 PIN光电二极管的研究 | 第10-11页 |
| 1.1.2 APD光电二极管的研究 | 第11-14页 |
| 1.2 封装及测试工艺的发展 | 第14-18页 |
| 1.2.1 封装及其步骤 | 第14-15页 |
| 1.2.2 封装结构及封装步骤 | 第15-17页 |
| 1.2.3 ROSA测试 | 第17-18页 |
| 1.3 本文主要内容 | 第18-19页 |
| 1.4 本文创新点 | 第19-20页 |
| 2 封装芯片的工作原理及最小二乘法 | 第20-36页 |
| 2.1 光电二极管器件的原理 | 第20-25页 |
| 2.1.1 半导体能带理论及载流子运动过程 | 第20-22页 |
| 2.1.2 PN结及光生伏特效应 | 第22-23页 |
| 2.1.3 PIN的工作原理 | 第23-24页 |
| 2.1.4 APD的工作原理 | 第24-25页 |
| 2.2 光电二极管器件的特性 | 第25-31页 |
| 2.2.1 伏安特性 | 第25-26页 |
| 2.2.2 频率响应特性 | 第26-28页 |
| 2.2.3 时间响应特性 | 第28-29页 |
| 2.2.4 噪声特性 | 第29-31页 |
| 2.3 其他芯片的工作原理 | 第31-33页 |
| 2.3.1 跨阻放大器 | 第31-32页 |
| 2.3.2 退耦电容 | 第32-33页 |
| 2.3.3 半导体制冷器 | 第33页 |
| 2.4 最小二乘法 | 第33-36页 |
| 3 PIN ROSA的设计制作及测试 | 第36-56页 |
| 3.1 PIN ROSA的原理及结构 | 第36-42页 |
| 3.1.1 器件关键性能参数 | 第36-38页 |
| 3.1.2 器件结构及设计 | 第38-42页 |
| 3.2 PIN ROSA的工艺制作 | 第42-47页 |
| 3.2.1 基本工艺流程 | 第42-44页 |
| 3.2.2 改进的工艺流程 | 第44-45页 |
| 3.2.3 工艺验证 | 第45-47页 |
| 3.3 PIN ROSA的测试工艺及改进 | 第47-56页 |
| 3.3.1 基本测试环境 | 第47-49页 |
| 3.3.2 改进的测试环境 | 第49-53页 |
| 3.3.3 测试结果 | 第53-56页 |
| 4 APD ROSA的设计制作及测试 | 第56-69页 |
| 4.1 APD ROSA的原理及特性 | 第56-60页 |
| 4.1.1 器件关键性能参数 | 第56-59页 |
| 4.1.2 器件结构及设计 | 第59-60页 |
| 4.2 PIN ROSA的工艺制作 | 第60-62页 |
| 4.2.1 基本工艺流程 | 第60-62页 |
| 4.2.2 改进的工艺流程 | 第62页 |
| 4.3 APD ROSA的测试工艺及改进 | 第62-69页 |
| 4.3.1 基本测试环境 | 第63页 |
| 4.3.2 测试结果 | 第63-69页 |
| 5 总结和展望 | 第69-71页 |
| 5.1 本文总结 | 第69页 |
| 5.2 工作展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-75页 |
| 附录 | 第75页 |
