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高速光接收器件TO封装工艺及测试

致谢第4-5页
摘要第5-6页
Abstract第6页
1 绪论第10-20页
    1.1 光探测器的发展第10-14页
        1.1.1 PIN光电二极管的研究第10-11页
        1.1.2 APD光电二极管的研究第11-14页
    1.2 封装及测试工艺的发展第14-18页
        1.2.1 封装及其步骤第14-15页
        1.2.2 封装结构及封装步骤第15-17页
        1.2.3 ROSA测试第17-18页
    1.3 本文主要内容第18-19页
    1.4 本文创新点第19-20页
2 封装芯片的工作原理及最小二乘法第20-36页
    2.1 光电二极管器件的原理第20-25页
        2.1.1 半导体能带理论及载流子运动过程第20-22页
        2.1.2 PN结及光生伏特效应第22-23页
        2.1.3 PIN的工作原理第23-24页
        2.1.4 APD的工作原理第24-25页
    2.2 光电二极管器件的特性第25-31页
        2.2.1 伏安特性第25-26页
        2.2.2 频率响应特性第26-28页
        2.2.3 时间响应特性第28-29页
        2.2.4 噪声特性第29-31页
    2.3 其他芯片的工作原理第31-33页
        2.3.1 跨阻放大器第31-32页
        2.3.2 退耦电容第32-33页
        2.3.3 半导体制冷器第33页
    2.4 最小二乘法第33-36页
3 PIN ROSA的设计制作及测试第36-56页
    3.1 PIN ROSA的原理及结构第36-42页
        3.1.1 器件关键性能参数第36-38页
        3.1.2 器件结构及设计第38-42页
    3.2 PIN ROSA的工艺制作第42-47页
        3.2.1 基本工艺流程第42-44页
        3.2.2 改进的工艺流程第44-45页
        3.2.3 工艺验证第45-47页
    3.3 PIN ROSA的测试工艺及改进第47-56页
        3.3.1 基本测试环境第47-49页
        3.3.2 改进的测试环境第49-53页
        3.3.3 测试结果第53-56页
4 APD ROSA的设计制作及测试第56-69页
    4.1 APD ROSA的原理及特性第56-60页
        4.1.1 器件关键性能参数第56-59页
        4.1.2 器件结构及设计第59-60页
    4.2 PIN ROSA的工艺制作第60-62页
        4.2.1 基本工艺流程第60-62页
        4.2.2 改进的工艺流程第62页
    4.3 APD ROSA的测试工艺及改进第62-69页
        4.3.1 基本测试环境第63页
        4.3.2 测试结果第63-69页
5 总结和展望第69-71页
    5.1 本文总结第69页
    5.2 工作展望第69-71页
参考文献第71-75页
附录第75页

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