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具有高隔离度的紧凑型双极化天线阵列研究

中文摘要第3-4页
英文摘要第4-5页
1 绪论第8-18页
    1.1 研究背景和意义第8-9页
    1.2 国内外研究现状第9-16页
    1.3 本文主要工作和内容安排第16-18页
2 天线的基础理论第18-24页
    2.1 引言第18页
    2.2 散射参数第18-19页
    2.3 方向图第19-21页
        2.3.1 方向性系数第19-20页
        2.3.2 增益第20页
        2.3.3 辐射效率第20页
        2.3.4 波瓣宽度第20页
        2.3.5 旁瓣电平第20-21页
        2.3.6 前后比第21页
    2.4 极化第21-22页
    2.5 阵列天线的互耦分析第22-23页
    2.6 本章小结第23-24页
3 双极化缝隙耦合微带天线设计第24-40页
    3.1 引言第24页
    3.2 微带天线的工作机制第24-25页
    3.3 辐射贴片尺寸估算第25-26页
    3.4 微带天线的馈电方式第26-27页
        3.4.1 直接馈电方式第26-27页
        3.4.2 间接馈电方式第27页
    3.5 双极化缝隙耦合微带贴片天线设计第27-39页
        3.5.1 天线结构第27-29页
        3.5.2 天线结构参数对天线性能的影响第29-35页
        3.5.3 天线单元的优化及仿真结果第35-39页
    3.6 本章小结第39-40页
4 双极化去耦结构设计第40-76页
    4.1 引言第40页
    4.2 两单元双极化天线阵列第40-42页
    4.3 三维混合超材料去耦结构第42-68页
        4.3.1 接地的容性加载谐振环第43-45页
        4.3.2 π型去耦结构第45-48页
        4.3.3 超材料结构的参数提取第48-49页
        4.3.4 加载去耦结构的两单元阵列第49-51页
        4.3.5 不同阵列排布的去耦效果第51-53页
        4.3.6 不同阵列极化方向的去耦效果第53-56页
        4.3.7 去耦结构的工作机制第56-59页
        4.3.8 仅加载GCLLs的两单元阵列第59-61页
        4.3.9 仅加载π型结构的两单元阵列第61-62页
        4.3.10 参数分析第62-64页
        4.3.11 实验验证第64-68页
    4.4 去耦结构的平面化设计第68-74页
        4.4.1 改进后的两单元去耦阵列第68-71页
        4.4.2 寄生条带的去耦机制第71-73页
        4.4.3 参数分析第73-74页
        4.4.4 小结第74页
    4.5 本章小结第74-76页
5 总结和展望第76-78页
致谢第78-80页
参考文献第80-86页
附录第86页
    A.作者在攻读学位期间发表的论文目录第86页
    B.作者在攻读学位期间取得的科研成果目录第86页

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