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硅晶体放电加工电阻特性及穿孔工艺基础研究

摘要第1-5页
Abstract第5-7页
目录第7-10页
图、表清单第10-13页
第一章 绪论第13-20页
   ·半导体硅材料的应用第13-14页
   ·半导体材料硬脆特性和常用加工方法第14-16页
     ·超精密切削第14页
     ·超精密磨削第14-15页
     ·超精密研磨第15页
     ·抛光加工第15页
     ·超精密特种加工第15-16页
   ·小孔加工技术第16-19页
   ·本课题的研究意义和研究内容第19-20页
     ·研究意义第19页
     ·研究内容第19-20页
第二章 半导体硅放电加工极间电阻探讨第20-31页
   ·放电极间电阻定义第20页
   ·体电阻定义第20-25页
     ·点-面接触体电阻计算第21-25页
       ·计算模型第21-22页
       ·各部分电阻计算第22-24页
       ·计算结果与分析第24-25页
   ·接触电阻定义第25页
   ·放电回路极间电阻的理论模型及基础研究第25-30页
     ·回路极间电阻理论模型第25-26页
     ·试验方法第26-29页
     ·放电实验验证第29-30页
   ·小结第30-31页
第三章 半导体硅放电穿孔加工模型和单向导通特性研究第31-40页
   ·金属/半导体接触和肖特基势垒第31-32页
   ·硅的放电穿孔加工模型第32-34页
   ·硅的单向导通特性研究第34-39页
     ·半导体PN 结的单向导通性第34-36页
     ·肖特基结的单向导通性第36-37页
     ·单向导通特性试验部分第37-39页
   ·小结第39-40页
第四章 半导体硅电火花穿孔工艺试验研究第40-54页
   ·硅电火花穿孔加工脉冲电源设计第40-41页
   ·硅电火花穿孔实验平台和穿孔装置设计第41-42页
   ·硅电火花穿孔加工工艺特点第42-43页
     ·工作液的选取第42页
     ·电极材料的选取第42-43页
     ·工作液喷液方式第43页
     ·导向孔的采用第43页
   ·硅电火花穿孔加工工艺试验研究第43-53页
     ·试验选用的各种材料及仪器第44页
     ·试验原理及装置图第44-45页
     ·试验内容及结果讨论第45-53页
       ·平均电压对硅穿孔加工速度的影响第45-46页
       ·脉冲宽度对硅穿孔加工速度的影响第46-47页
       ·占空比对硅穿孔加工速度的影响第47-48页
       ·硅电火花穿孔加工精度试验研究第48-49页
       ·平均电压对硅电火花穿孔加工电极损耗影响的试验研究第49-50页
       ·脉冲宽度对硅电火花穿孔加工电极损耗影响的试验研究第50-51页
       ·占空比对硅电火花穿孔加工电极损耗影响的试验研究第51页
       ·硅电火花穿孔加工后的小孔形貌和波形分析第51-53页
   ·小结第53-54页
第五章 总结和展望第54-56页
   ·论文完成的主要工作第54-55页
   ·后续研究工作展望第55-56页
参考文献第56-60页
致谢第60-61页
攻读硕士期间发表的学术论文第61页

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