| 摘要 | 第9-10页 |
| ABSTRACT | 第10页 |
| 第一章 绪论 | 第11-19页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-15页 |
| 1.2 相关课题研究现状 | 第15-18页 |
| 1.3 论文的主要结构与工作 | 第18-19页 |
| 第二章 阻变存储单元概述 | 第19-30页 |
| 2.1 阻变存储器结构分类 | 第19-22页 |
| 2.1.1 1R结构存储单元 | 第20-21页 |
| 2.1.2 1D1R结构存储单元 | 第21页 |
| 2.1.3 1T1R结构存储单元 | 第21-22页 |
| 2.2 阻变存储单元的工作流程 | 第22-24页 |
| 2.2.1 HRS和LRS | 第22-23页 |
| 2.2.2 Forming过程 | 第23-24页 |
| 2.2.3 Set过程和Reset过程 | 第24页 |
| 2.2.4 Read过程 | 第24页 |
| 2.3 阻变存储单元的性能参数 | 第24-27页 |
| 2.3.1 工作电压 | 第25页 |
| 2.3.2 工作速度 | 第25页 |
| 2.3.3 电阻比 | 第25-26页 |
| 2.3.4 忍耐力 | 第26页 |
| 2.3.5 保持时间 | 第26页 |
| 2.3.6 多级存储 | 第26页 |
| 2.3.7 器件良率 | 第26-27页 |
| 2.4 阻变存储单元的工作机制 | 第27-29页 |
| 2.4.1 导电细丝理论 | 第27-28页 |
| 2.4.2 空间电荷限制电流效应 | 第28页 |
| 2.4.3 缺陷能级充放电机制 | 第28页 |
| 2.4.4 肖特基发射 | 第28-29页 |
| 2.4.5 普尔-法兰克效应 | 第29页 |
| 2.4.6 小结 | 第29页 |
| 2.5 本章小结 | 第29-30页 |
| 第三章 阻变存储单元操作电压影响因素分析 | 第30-52页 |
| 3.1 对阻变存储单元的测试 | 第30-38页 |
| 3.1.1 目前流行的测试方法 | 第30-32页 |
| 3.1.2 对测试方法的改进 | 第32-38页 |
| 3.2 阻变存储单元操作电压与薄膜厚度的关系 | 第38-41页 |
| 3.2.1 Forming电压 | 第39-40页 |
| 3.2.2 Set电压和Reset电压 | 第40-41页 |
| 3.3 阻变存储单元操作电压与温度的关系 | 第41-50页 |
| 3.3.1 常温下Au/TiO_2/AuRRAM的阻变特性 | 第41-43页 |
| 3.3.2 Au/TiO_2/AuRRAM常温测试结果统计分析 | 第43-45页 |
| 3.3.3 温度对Forming电压的影响 | 第45-47页 |
| 3.3.4 温度对Set电压和Reset电压的影响 | 第47-49页 |
| 3.3.5 温度对Au/TiO_2/AuRRAM影响的微观解释 | 第49-50页 |
| 3.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第四章 读写电路设计 | 第52-63页 |
| 4.1 传统电路遇到的问题 | 第52-53页 |
| 4.2 整体电路设计 | 第53-58页 |
| 4.2.1 判断模块 | 第53-54页 |
| 4.2.2 读写预备模块 | 第54-55页 |
| 4.2.3 电压产生模块 | 第55-56页 |
| 4.2.4 输出模块 | 第56-57页 |
| 4.2.5 阻变存储单元 | 第57-58页 |
| 4.3 仿真结果分析 | 第58-61页 |
| 4.3.1 阻变存储单元的I-V特性 | 第58-59页 |
| 4.3.2 置位操作 | 第59-60页 |
| 4.3.3 复位操作 | 第60-61页 |
| 4.3.4 读操作 | 第61页 |
| 4.4 本章小结 | 第61-63页 |
| 第五章 总结 | 第63-66页 |
| 5.1 全文工作总结 | 第63-65页 |
| 5.2 论文的不足和将来研究的方向 | 第65-66页 |
| 致谢 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-73页 |
| 作者在学期间取得的学术成果 | 第73页 |
