| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第1章 绪论 | 第15-41页 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 | 第15-16页 |
| 1.2 二硫化钼(MOS_2)的结构和物性 | 第16-23页 |
| 1.2.1 MoS_2的晶体结构 | 第16-17页 |
| 1.2.2 MoS_2的机械性质 | 第17-19页 |
| 1.2.3 MoS_2的拉曼光谱性质 | 第19-21页 |
| 1.2.4 MoS_2的能带结构 | 第21-23页 |
| 1.2.5 MoS_2的输运性质 | 第23页 |
| 1.3 二维MOS_2的制备及其光电器件研究进展分析 | 第23-39页 |
| 1.3.1 二硫化钼纳米片的制备研究 | 第23-29页 |
| 1.3.2 MoS_2场效应晶体管 | 第29-34页 |
| 1.3.3 MoS_2光电器件 | 第34-35页 |
| 1.3.4 MoS_2异质结器件研究 | 第35-39页 |
| 1.4 本论文的主要研究内容 | 第39-41页 |
| 1.4.1 目前存在的问题 | 第39-40页 |
| 1.4.2 主要内容 | 第40-41页 |
| 第2章 试验材料与方法 | 第41-46页 |
| 2.1 试剂材料 | 第41-42页 |
| 2.2 试验仪器 | 第42页 |
| 2.3 材料制备方法 | 第42-44页 |
| 2.3.1 化学气相沉积法制备二硫化钼薄膜及转移步骤 | 第42-43页 |
| 2.3.2 溶胶凝胶法制备p型MoS_2图案化薄膜的方法 | 第43-44页 |
| 2.3.3 柔性MoS_2压电器件的制备 | 第44页 |
| 2.3.4 一步法外延生长MoS_2/CdS垂直异质结方法 | 第44页 |
| 2.4 材料的表征方法 | 第44-46页 |
| 第3章 单层MoS_2的形貌调控及其晶界结构对电学性质的影响研究 | 第46-72页 |
| 3.1 引言 | 第46页 |
| 3.2 多角MOS_2的形貌调控和电学性质 | 第46-57页 |
| 3.2.1 MoS_2形貌结构的调控 | 第46-47页 |
| 3.2.2 MoS_2的显微结构与成份分析 | 第47-53页 |
| 3.2.3 MoS_2的形貌演变规律 | 第53-55页 |
| 3.2.4 晶界对场效应晶体管输运性质调控的研究 | 第55-57页 |
| 3.3 MOS_2形貌对压电性质调控的研究 | 第57-71页 |
| 3.3.1 MoS_2压电器件的测试原理 | 第59-63页 |
| 3.3.2 MoS_2压电器件的电学性能测试 | 第63-66页 |
| 3.3.3 MoS_2晶界增加压电信号的原理分析 | 第66-69页 |
| 3.3.4 MoS_2压电器件的力学传感应用研究 | 第69-71页 |
| 3.4 本章小结 | 第71-72页 |
| 第4章 MoS_2表面外延生长非层状硫化镉功能化垂直异质结 | 第72-88页 |
| 4.1 引言 | 第72-73页 |
| 4.2 CdS/MoS_2垂直异质结的制备过程 | 第73-74页 |
| 4.3 CdS/MoS_2垂直异质结的结构表征 | 第74-79页 |
| 4.4 CdS/MoS_2生长动力学分析 | 第79-81页 |
| 4.5 CdS/MoS_2光谱性质研究及能带结构分析 | 第81-83页 |
| 4.6 CdS/MoS_2以及MoS_2光探测器性能对比 | 第83-87页 |
| 4.7 本章小结 | 第87-88页 |
| 第5章 高形变的MoS_2剪纸结构的制备及其力学传感性能研究 | 第88-103页 |
| 5.1 引言 | 第88页 |
| 5.2 大面积MOS_2薄膜的制备 | 第88-90页 |
| 5.3 MOS_2/PDMS复合剪纸结构的制备 | 第90-91页 |
| 5.4 MOS_2剪纸结构传感器结构表征 | 第91-93页 |
| 5.5 剪纸结构器件的力学和电学关系研究 | 第93-100页 |
| 5.6 高形变量器件对大形变动作的传感性能研究 | 第100-102页 |
| 5.7 本章小结 | 第102-103页 |
| 第6章 图案化生长P型MOS_2薄膜及其电学性能研究 | 第103-123页 |
| 6.1 引言 | 第103-104页 |
| 6.2 WO_X修饰MOS_2的制备方法 | 第104-108页 |
| 6.2.1 过氧钼酸溶胶凝胶的合成 | 第104页 |
| 6.2.2 图案化MoS_2薄膜的制备 | 第104-108页 |
| 6.3 P型MOS_2薄膜的结构表征及电学性质研究 | 第108-116页 |
| 6.4 第一性原理计算P型MOS_2形成的原因及其实验验证 | 第116-120页 |
| 6.5 MOS_2P-N结的制备及性能研究 | 第120-121页 |
| 6.6 本章小结 | 第121-123页 |
| 结论 | 第123-125页 |
| 参考文献 | 第125-137页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第137-139页 |
| 致谢 | 第139-140页 |
| 个人简历 | 第140页 |
