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硅纳米线及晶体硅选择性扩散的研究

摘要第1-5页
Abstract第5-9页
1 绪论第9-23页
   ·纳米材料的基本特性第9-11页
   ·硅纳米线的性能、制备方法以及应用前景第11-22页
     ·硅纳米线的性能研究第11-14页
     ·一维纳米硅材料的制备方法第14-20页
     ·硅纳米线的广泛应用及前景展望第20-22页
 本章小结第22页
   ·本论文的主要研究内容第22-23页
2 一维硅纳米线的表征方法基本原理简介第23-27页
   ·扫描电子显微镜(SEM)第23-24页
   ·原子力显微镜(AFM)第24页
   ·X射线衍射(XRD)第24-25页
   ·硅纳米线的拉曼光谱第25-26页
   ·光致发光(PL)光谱第26页
 本章小结第26-27页
3 化学腐蚀法制备大面积硅纳米线阵列第27-38页
   ·硅纳米线阵列的化学腐蚀法制备工艺第27-28页
     ·硅片的预处理第27-28页
     ·SiNWs的制备工艺第28页
   ·样品表征第28页
   ·结果分析和讨论第28-37页
     ·SiNWs的生长机理第28-30页
     ·大面积硅纳米线阵列的形貌第30-36页
     ·大面积硅纳米线阵列的漫反射研究第36页
     ·大面积硅纳米线阵列的拉曼光谱第36-37页
 本章小结第37-38页
4.硅纳米线太阳能电池的研究第38-43页
   ·太阳能电池的研究意义第38页
   ·硅纳米线太阳电池第38-42页
     ·硅纳米线太阳电池的研究进展第39-40页
     ·化学腐蚀法制备硅纳米线光电化学太阳能电池第40-42页
 本章小结第42-43页
5.选择性发射极太阳电池第43-50页
   ·Si衬底的准备第44页
   ·SiO_2掩膜的制备第44-45页
   ·光刻扩散窗口第45-47页
   ·磷浆扩散制备p-n结第47-49页
 本章小结第49-50页
结论第50-51页
参考文献第51-55页
攻读硕士学位期间发表学术论文情况第55-56页
致谢第56-58页

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