| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| 1.1 引言 | 第7-8页 |
| 1.2 Al Ga As材料的制备方法与应用简介 | 第8-9页 |
| 1.3 论文研究意义与内容 | 第9-11页 |
| 第二章 实验设备与表征手段 | 第11-33页 |
| 2.1 分子束外延系统 | 第11-13页 |
| 2.1.1 MBE生长原理 | 第11-12页 |
| 2.1.2 源炉与衬底加热装置 | 第12-13页 |
| 2.2 反射式高能电子衍射仪 | 第13-19页 |
| 2.2.1 RHEED工作原理 | 第14-16页 |
| 2.2.2 RHEED衍射图样 | 第16-18页 |
| 2.2.3 RHEED强度振荡 | 第18-19页 |
| 2.3 低温扫描隧道显微镜系统 | 第19-23页 |
| 2.3.1 LT-STM原理 | 第19-20页 |
| 2.3.2 双线圈法制备钨探针 | 第20-23页 |
| 2.4 X射线衍射 | 第23-27页 |
| 2.4.1 X射线衍射原理 | 第23-25页 |
| 2.4.2 双晶衍射技术简介 | 第25-27页 |
| 2.5 霍尔效应 | 第27-33页 |
| 2.5.1 霍尔效应原理 | 第27-29页 |
| 2.5.2 范德堡法测霍尔效应 | 第29-32页 |
| 2.5.3 材料物性综合测试系统 | 第32-33页 |
| 第三章 Al Ga As薄膜表面的表征 | 第33-52页 |
| 3.1 不同组分的Al Ga As薄膜的表面形貌研究 | 第33-40页 |
| 3.1.1 Ga As缓冲层的生长 | 第33-34页 |
| 3.1.2 不同组分AlGaAs薄膜生长的实验过程 | 第34-38页 |
| 3.1.3 Al Ga As薄膜生长的实验结果讨论与总结 | 第38-40页 |
| 3.2 沉积速率对Al Ga As薄膜表面形貌的影响 | 第40-46页 |
| 3.2.1 Al_(0.25)Gal_(0.75)As薄膜生长实验过程 | 第40-44页 |
| 3.2.2 Al_(0.25)Gal_(0.75)As薄膜生长实验结果讨论与总结 | 第44-46页 |
| 3.3 Inl_(0.15)Ga_(0.85)As薄膜与Al_(0.15)Ga_(0.85)As薄膜表面形貌差异 | 第46-52页 |
| 3.3.1 In_(0.15)Ga_(0.85)As薄膜的STM扫描 | 第46-48页 |
| 3.3.2 薄膜原子表面扩散的应力影响 | 第48-52页 |
| 第四章 Al Ga As/Ga As的结构与电学性质表征 | 第52-63页 |
| 4.1 Al Ga As/Ga As厚薄XRD表征 | 第52-57页 |
| 4.1.1 不同Al Ga As膜的生长 | 第52-53页 |
| 4.1.2 结果讨论与总结 | 第53-57页 |
| 4.2 Al_(0.25)Gal_(0.75) As/Ga As量子阱输运特性 | 第57-63页 |
| 4.2.1 Al_(0.25)Gal_(0.75) As/Ga As量子阱结构生长 | 第57-59页 |
| 4.2.2 Al_(0.25)Gal_(0.75) As/Ga As量子阱霍尔效应 | 第59-61页 |
| 4.2.3 误差分析 | 第61-63页 |
| 第五章 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读硕士期间参加发表的论文和参加科研情况 | 第70-71页 |
