| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第11-18页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 紫外LED的研究进展 | 第12-14页 |
| 1.3 紫外LED的研究瓶颈 | 第14-17页 |
| 1.4 本论文的主要研究工作 | 第17-18页 |
| 第2章 深紫外发光二极管的研究基础 | 第18-30页 |
| 2.1 IQE与电流密度的依赖性关系 | 第18-21页 |
| 2.2 LEE与偏振特性的依赖性关系 | 第21-26页 |
| 2.3 制备工艺及检测与分析系统 | 第26-30页 |
| 第3章 缓变Al组分量子阱DUV-LED性能研究 | 第30-37页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 缓变Al组分量子阱结构对DUV-LED发光性能的影响 | 第30-32页 |
| 3.3 缓变Al组分量子阱结构影响DUV-LED发光性能的物理机制 | 第32-36页 |
| 3.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 台阶状末层量子垒DUV-LED性能研究 | 第37-43页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 台阶状末层量子垒结构对DUV-LED发光性能的影响 | 第37-39页 |
| 4.3 台阶状末层量子垒结构影响DUV-LED发光性能的物理机制 | 第39-42页 |
| 4.4 本章小结 | 第42-43页 |
| 第5章 非对称台阶末层量子垒DUV-LED性能研究 | 第43-49页 |
| 5.1 引言 | 第43页 |
| 5.2 非对称台阶末层量子垒结构对DUV-LED发光性能的影响 | 第43-45页 |
| 5.3 非对称台阶末层量子垒结构影响DUV-LED发光性能的物理机制 | 第45-48页 |
| 5.4 本章小结 | 第48-49页 |
| 全文总结 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-57页 |
| 攻读学位期间发表的学术成果 | 第57-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
