| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第9-11页 |
| 1.2 电离辐射缺陷 | 第11-12页 |
| 1.2.1 界面态陷阱 | 第11-12页 |
| 1.2.2 氧化物电荷 | 第12页 |
| 1.3 位移辐射损伤 | 第12-13页 |
| 1.4 氢对辐照缺陷损伤的影响 | 第13-15页 |
| 1.5 电场对辐射损伤的影响 | 第15-17页 |
| 1.6 本文的主要研究内容 | 第17-19页 |
| 第2章 试验器件及分析测试方法 | 第19-29页 |
| 2.1 试验样品 | 第19-20页 |
| 2.2 辐照源 | 第20页 |
| 2.3 氢气浸泡试验 | 第20-21页 |
| 2.4 不同偏置条件下辐照试验 | 第21-22页 |
| 2.4.1 不同发射结偏置辐照 | 第21页 |
| 2.4.2 不同栅极偏置辐照 | 第21-22页 |
| 2.5 电性能及缺陷分析方法 | 第22-29页 |
| 2.5.1 Gummel曲线及电流增益测试方法 | 第23页 |
| 2.5.2 过剩基极电流 | 第23-24页 |
| 2.5.3 栅扫描(GS)技术 | 第24-27页 |
| 2.5.4 深能级瞬态谱分析(DLTS)方法 | 第27-29页 |
| 第3章 氢气对GLPNP晶体管辐照效应的影响 | 第29-38页 |
| 3.1 Gummel特性曲线变化规律 | 第29-31页 |
| 3.2 电流增益退化规律 | 第31-32页 |
| 3.3 ΔI_B变化规律 | 第32-34页 |
| 3.4 GS曲线变化规律 | 第34-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第4章 电场对GLPNP晶体管辐照效应的影响 | 第38-53页 |
| 4.1 栅压对GLPNP晶体管性能的影响 | 第38-44页 |
| 4.1.1 Gummel特性曲线变化规律 | 第38-40页 |
| 4.1.2 电流增益退化规律 | 第40-41页 |
| 4.1.3 ΔI_B变化规律 | 第41-43页 |
| 4.1.4 GS曲线变化规律 | 第43-44页 |
| 4.2 发射结偏压对GLPNP晶体管性能的影响 | 第44-51页 |
| 4.2.1 Gummel特性曲线变化规律 | 第44-47页 |
| 4.2.2 电流增益退化规律 | 第47-48页 |
| 4.2.3 ΔI_B变化规律 | 第48-49页 |
| 4.2.4 GS曲线变化规律 | 第49-51页 |
| 4.3 本章小结 | 第51-53页 |
| 第5章 氢气和电场对质子辐照损伤影响机制 | 第53-63页 |
| 5.1 氢气对GLPNP质子辐照损伤机理研究 | 第53-56页 |
| 5.1.1 辐照感生缺陷的分离计算 | 第53-54页 |
| 5.1.2 深能级瞬态谱(DLTS)分析 | 第54-55页 |
| 5.1.3 氢对GLPNP晶体管辐照效应影响机理分析 | 第55-56页 |
| 5.2 电场对GLPNP质子辐照损伤机理研究 | 第56-62页 |
| 5.2.1 不同栅偏压对GLPNP质子辐照损伤机理研究 | 第56-59页 |
| 5.2.1.1 辐照感生缺陷的分离计算 | 第56-58页 |
| 5.2.1.2 深能级瞬态谱(DLTS)分析 | 第58页 |
| 5.2.1.3 栅压对GLPNP晶体管辐照效应影响机理分析 | 第58-59页 |
| 5.2.2 不同结偏压对GLPNP质子辐照损伤机理研究 | 第59-62页 |
| 5.2.2.1 辐照感生缺陷的分离计算 | 第59-60页 |
| 5.2.2.2 深能级瞬态谱(DLTS)分析 | 第60-61页 |
| 5.2.2.3 结偏压对GLPNP晶体管辐照效应影响机理分析 | 第61-62页 |
| 5.3 本章小结 | 第62-63页 |
| 结论 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
