| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 研究工作的背景与意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究历史与现状 | 第10-13页 |
| 1.2.1 失效分析技术 | 第10-11页 |
| 1.2.2 寿命预测方法 | 第11-13页 |
| 1.3 本文的主要内容与章节安排 | 第13-15页 |
| 第二章 基于物理失效分析的元器件电特征参数退化建模 | 第15-30页 |
| 2.1 引言 | 第15页 |
| 2.2 基本元器件电特征参数退化模型 | 第15-18页 |
| 2.2.1 电阻器退化模型 | 第15-16页 |
| 2.2.2 电容器退化模型 | 第16-18页 |
| 2.3 MOSFET器件退化模型 | 第18-28页 |
| 2.3.1 MOSFET器件失效分析 | 第18-21页 |
| 2.3.2 MOSFET器件退化建模 | 第21-24页 |
| 2.3.3 Silvaco仿真及模型验证 | 第24-28页 |
| 2.4 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 基于灵敏度分析的模拟电路退化趋势预测方法研究 | 第30-48页 |
| 3.1 引言 | 第30页 |
| 3.2 灵敏度分析 | 第30-35页 |
| 3.2.1 方差灵敏度指标 | 第31-33页 |
| 3.2.2 傅里叶幅值灵敏度检验 | 第33-35页 |
| 3.3 基于灵敏度分析的模拟电路退化分析 | 第35-39页 |
| 3.3.1 基于灵敏度分析的模拟电路退化建模 | 第35-36页 |
| 3.3.2 退化量衡量标准 | 第36-38页 |
| 3.3.3 算法步骤 | 第38-39页 |
| 3.4 实验与仿真 | 第39-47页 |
| 3.4.1 灵敏度指标验证 | 第39-42页 |
| 3.4.2 电路退化趋势预测 | 第42-47页 |
| 3.5 本章小结 | 第47-48页 |
| 第四章 基于元器件退化的模拟电路退化行为建模 | 第48-61页 |
| 4.1 VHDL-AMS语言分析 | 第48-50页 |
| 4.2 电路退化行为建模 | 第50-56页 |
| 4.2.1 电路行为建模 | 第50-53页 |
| 4.2.2 电路退化行为建模 | 第53-56页 |
| 4.3 电路退化行为仿真分析 | 第56-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 电路寿命预测软件设计与实现 | 第61-69页 |
| 5.1 软件功能描述 | 第61页 |
| 5.2 软件总体设计方案及运行界面 | 第61-65页 |
| 5.2.1 软件总体设计方案 | 第61-62页 |
| 5.2.2 运行界面 | 第62-65页 |
| 5.3 软件功能验证 | 第65-68页 |
| 5.4 本章小结 | 第68-69页 |
| 第六章 全文总结与展望 | 第69-71页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第69-70页 |
| 6.2 研究展望 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-75页 |
| 攻读硕士期间取得的研究成果 | 第75页 |