| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 本研究课题的意义及国内外发展现状 | 第9-13页 |
| 1.1.1 移相器国内外发展现状 | 第9-12页 |
| 1.1.2 CMOS超宽带(UWB)低噪声放大器国内外发展现状 | 第12-13页 |
| 1.2 本论文研究的主要内容 | 第13-15页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件基础 | 第15-23页 |
| 2.1 AlGaN/GaN材料基础 | 第15-18页 |
| 2.1.1 GaN基材料的优势 | 第15-16页 |
| 2.1.2 AlGaN/GaN HEMT材料器件结构 | 第16-17页 |
| 2.1.3 AlGaN/GaN材料的自发极化和压电极化 | 第17-18页 |
| 2.1.4 AlGaN/GaN异质结中的2DEG | 第18页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT器件工艺 | 第18-19页 |
| 2.3 AlGaN/GaN HEMT开关 | 第19-21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 T/R组件中五位数字式移相器的设计及仿真 | 第23-55页 |
| 3.1 移相器基本概念及应用 | 第23页 |
| 3.2 移相器原理及主要参数 | 第23-36页 |
| 3.2.1 移相器基本原理 | 第23-24页 |
| 3.2.2 移相器的主要指标 | 第24-25页 |
| 3.2.3 各种类型的数字移相器结构以及对比分析 | 第25-36页 |
| 3.3 X波段五位数字移相器指标要求及具体方案制定 | 第36-53页 |
| 3.3.1 开关仿真及优化 | 第37-40页 |
| 3.3.2 各个相移单元的电路设计与仿真 | 第40-48页 |
| 3.3.3 相移单元级联仿真结果及分析 | 第48-53页 |
| 3.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 CMOS超宽带(UWB)低噪声放大器的设计 | 第55-79页 |
| 4.1 超宽带技术简介 | 第55页 |
| 4.2 低噪声放大器基本理论及主要设计参数 | 第55-67页 |
| 4.2.1 两端口网络的基本特性 | 第55-57页 |
| 4.2.2 MOSFET二端口网络噪声理论基础 | 第57-60页 |
| 4.2.3 低噪声放大器的设计参数 | 第60-67页 |
| 4.3 CMOS超宽带(UWB)低噪声放大器的设计与仿真 | 第67-77页 |
| 4.3.1 输入级匹配设计 | 第67-72页 |
| 4.3.2 噪声消除的设计 | 第72-74页 |
| 4.3.3 输出匹配设计 | 第74页 |
| 4.3.4 偏置网络的设计 | 第74-75页 |
| 4.3.5 原理图电路仿真 | 第75-77页 |
| 4.5 本章小结 | 第77-79页 |
| 第五章 总结与展望 | 第79-81页 |
| 致谢 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-85页 |
