高质量氮化铝晶体制备技术的分析
| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第12-23页 |
| 1.1 课题研究的背景 | 第12-14页 |
| 1.2 氮化铝的晶体结构 | 第14-15页 |
| 1.3 氮化铝晶体的物理性质 | 第15-17页 |
| 1.4 氮化铝晶体的制备方法 | 第17-21页 |
| 1.4.1 铝金属直接氮化法 | 第17-18页 |
| 1.4.2 金属有机化学气相沉积(MOCVD)法 | 第18页 |
| 1.4.3 氢化物气相外延生长(HVPE)法 | 第18-19页 |
| 1.4.4 物理气相传输(PVT)法 | 第19-21页 |
| 1.5 AlN晶体的应用 | 第21-22页 |
| 1.6 本文的主要研究内容 | 第22-23页 |
| 2 晶体本征缺陷与生长模型 | 第23-28页 |
| 2.1 晶体中的空位缺陷 | 第23-24页 |
| 2.2 晶体生长理论模型 | 第24-28页 |
| 2.2.1 科塞尔-斯特兰斯基模型 | 第25页 |
| 2.2.2 螺旋位错模型 | 第25-26页 |
| 2.2.3 周期键链(PBC)理论 | 第26-28页 |
| 3 晶体生长的仿真 | 第28-46页 |
| 3.1 第一性原理概论 | 第28-31页 |
| 3.2 AlN晶体生长过程的模型 | 第31-35页 |
| 3.3 反应物与表面的结合能 | 第35-39页 |
| 3.4 反应原子的扩散势垒 | 第39-44页 |
| 3.5 本章小结 | 第44-46页 |
| 4 PVT法晶体生长的研究 | 第46-63页 |
| 4.1 感应加热体的模拟 | 第46-49页 |
| 4.2 AlN晶体冷却温度分布 | 第49-54页 |
| 4.3 AlN晶体热应力 | 第54-58页 |
| 4.4 生长室结构改进 | 第58-62页 |
| 4.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 5 结论与展望 | 第63-65页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第63-64页 |
| 5.2 下一步工作的展望 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 作者简介 | 第71-72页 |
| 1.基本情况 | 第71页 |
| 2.教育背景 | 第71页 |
| 3.研究成果 | 第71页 |
| 4.获奖 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
