| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 1 引言 | 第8-14页 |
| 1.1 Ga_2O_3材料简介 | 第8-10页 |
| 1.1.1 Ga_2O_3的晶格结构 | 第8-9页 |
| 1.1.2 Ga_2O_3的性质 | 第9-10页 |
| 1.2 Ga_2O_3材料的应用与研究现状 | 第10-12页 |
| 1.2.3 Ga_2O_3材料的应用 | 第10-11页 |
| 1.2.4 Ga_2O_3材料的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第12-14页 |
| 2 Ga_2O_3材料的制备方法及表征技术 | 第14-24页 |
| 2.1 Ga_2O_3材料的生长方法 | 第14-17页 |
| 2.1.1 金属有机化学气相沉积技术(MetalOrganic Chemical Vapor Deposition) | 第14页 |
| 2.1.2 溅射法(Sputtering) | 第14-15页 |
| 2.1.3 分子束外延技术(Molecular Beam Epitaxy) | 第15-16页 |
| 2.1.4 水热法(Hydrothermal method) | 第16页 |
| 2.1.5 喷雾热解(Spray pyorlysis) | 第16-17页 |
| 2.2 Ga_2O_3材料的表征技术 | 第17-24页 |
| 2.2.1 X射线衍射技术(X-ray diffraction technology) | 第17-18页 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜(Scanning electron microscope) | 第18-19页 |
| 2.2.3 霍尔效应测试(Hall Effect) | 第19-20页 |
| 2.2.4 光荧光测试(Photoluminescence spectroscopy) | 第20-21页 |
| 2.2.5 X射线光电子能谱(x-ray photoelectron spectroscopy) | 第21-24页 |
| 3 MOCVD法制备GaN | 第24-32页 |
| 3.1 MOCVD工作原理和生长系统 | 第24-26页 |
| 3.2 本论文中使用的MOCVD系统 | 第26-27页 |
| 3.3 GaN薄膜制备及表征 | 第27-32页 |
| 3.3.1 实验过程 | 第27页 |
| 3.3.2 蓝宝石衬底上GaN薄膜的表征 | 第27-32页 |
| 4 氧化生长Ga_2O_3薄膜 | 第32-43页 |
| 4.1 氧化温度对Ga_2O_3薄膜的影响 | 第32-40页 |
| 4.1.1 X射线衍射测试 | 第32-34页 |
| 4.1.2 扫描电镜测试 | 第34-38页 |
| 4.1.3 光致发光测试 | 第38-40页 |
| 4.2 氧化时间对光致发光的影响 | 第40-43页 |
| 结论 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-47页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第47-48页 |
| 致谢 | 第48页 |
