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可见光响应ZnFe2O4/Bi2O3制备及吸附—光催化性能研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第11-23页
    1.1 印染废水的分类及危害第11-12页
        1.1.1 印染废水危害第11页
        1.1.2 印染废水分类第11-12页
    1.2 印染废水处理方法第12-14页
        1.2.1 印染废水的回收利用第12页
        1.2.2 印染废水的无害化处理第12-14页
    1.3 半导体光催化技术第14-17页
        1.3.1 半导体光催化的原理第15-16页
        1.3.2 光催化活性的影响因素第16-17页
        1.3.3 光催化技术的研究进展第17页
    1.4 铋系催化剂第17-20页
        1.4.1 钒酸铋第18页
        1.4.2 卤氧化铋第18-19页
        1.4.3 钨酸铋第19页
        1.4.4 氧化铋第19-20页
    1.5 铋系催化剂改性第20-22页
        1.5.1 掺杂第20-21页
        1.5.2 半导体复合第21页
        1.5.3 表面光敏化第21页
        1.5.4 表面贵金属沉积第21-22页
    1.6 研究意义、内容第22-23页
        1.6.1 研究意义第22页
        1.6.2 研究内容第22-23页
第二章 实验试剂及仪器第23-25页
    2.1 实验试剂第23-24页
    2.2 实验仪器第24-25页
第三章 催化剂的制备及表征第25-38页
    3.1 催化剂的制备第25页
        3.1.1 Bi_2O_3制备第25页
        3.1.2 ZnFe_2O_4制备第25页
        3.1.3 ZnFe_2O_4/Bi_2O_3制备第25页
    3.2 催化剂的表征方法第25-37页
        3.2.1 电子显微镜分析第26-27页
        3.2.2 比表面积第27页
        3.2.4 红外光谱(Infrared Spectroscopy,IR)第27-28页
        3.2.5 X-射线粉末衍射(X-Ray Diffraction,XRD)第28-30页
        3.2.6 X 射线光电子能谱(X-ray photoelectron spectroscopy, XPS)第30-34页
        3.2.7 紫外-可见漫反射光谱(UV-vis diffuse reflection spectra,UV/Vis-DRS)第34-36页
        3.2.8 Bi_2O_3和 ZnFe_2O_4/Bi_2O_3可见光降解效率研究第36-37页
    3.3 本章小结第37-38页
第四章 ZnFe_2O_4光敏化对 Bi_2O_3催化性能的影响研究第38-43页
    4.1 ZnFe_2O_4光敏化对催化降解性能的影响第38-39页
        4.1.1 实验步骤第38页
        4.1.2 结果与讨论第38-39页
    4.2 初始浓度对 ZnFe_2O_4/Bi_2O_3降解性能的影响第39-41页
        4.2.1 实验方法第39页
        4.2.2 结果与讨论第39-41页
    4.3 溶液 PH 对 ZnFe_2O_4/Bi_2O_3降解性能的影响第41-42页
        4.3.1 实验步骤第41页
        4.3.2 结果与讨论第41-42页
    4.4 本章小结第42-43页
第五章 ZnFe_2O_4/Bi_2O_3对甲基橙模拟印染废水的吸附性能研究第43-50页
    5.1 不同反应条件对 ZnFe_2O_4/Bi_2O_3吸附效果的影响第43-46页
        5.1.1 实验步骤第43-44页
        5.1.2 结果与讨论第44-46页
    5.2 ZnFe_2O_4/Bi_2O_3吸附甲基橙模拟印染废水的动力学研究第46-47页
        5.2.1 实验方法第46页
        5.2.2 结果与讨论第46-47页
    5.3 ZnFe_2O_4/Bi_2O_3吸附甲基橙模拟印染废水的热力学研究第47-49页
        5.3.1 实验方法第47页
        5.3.2 结果与讨论第47-49页
    5.4 结果与讨论第49-50页
第六章 结论与建议第50-52页
    6.1 结论第50-51页
    6.2 建议第51-52页
参考文献第52-57页
作者简介及在学期间科研成果第57-58页
致谢第58页

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