| 目录 | 第3-6页 |
| 摘要 | 第6-9页 |
| Abstract | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-42页 |
| §1.1 引言 | 第12-16页 |
| §1.2 纳米压印技术 | 第16-23页 |
| §1.2.1 纳米压印技术简介 | 第16-20页 |
| §1.2.2 纳米压印技术国内外研究现状 | 第20-23页 |
| §1.2.3 纳米压印技术面临的挑战 | 第23页 |
| §1.3 铁电材料 | 第23-27页 |
| §1.3.1 铁电材料简介 | 第23-24页 |
| §1.3.2 无机铁电材料锆钛酸铅Pb(Zr_x,Ti_(1-x))O_3 | 第24-25页 |
| §1.3.3 有机铁电材料聚偏氟乙烯三氟乙烯聚合物P(VDF-TrFE) | 第25-27页 |
| §1.4 纳米压印铁电薄膜国内外研究发展 | 第27-36页 |
| §1.4.1 PZT铁电薄膜纳米压印研究进展 | 第27-30页 |
| §1.4.2 P(VDF-TrFE)铁电薄膜纳米压印研究进展 | 第30-36页 |
| §1.5 本课题研究意义及主要内容 | 第36-38页 |
| 参考文献 | 第38-42页 |
| 第二章 纳米压印PZT薄膜工艺研究 | 第42-54页 |
| §2.1 PZT溶液制备 | 第42-43页 |
| §2.2 纳米压印模板的制作与处理 | 第43-45页 |
| §2.3 衬底制作工艺 | 第45-46页 |
| §2.4 纳米压印PZT薄膜工艺 | 第46-51页 |
| §2.5 小结 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-54页 |
| 第三章 纳米压印PZT薄膜性能表征 | 第54-69页 |
| §3.1 铁电材料常用分析技术 | 第54-58页 |
| §3.1.1 X射线衍射技术 | 第54页 |
| §3.1.2 压电响应显微镜(PFM) | 第54-56页 |
| §3.1.3 铁电材料电学性能测试 | 第56-58页 |
| §3.2 纳米压印PZT薄膜结构研究 | 第58-60页 |
| §3.2.1 X射线衍射(XRD)测量 | 第58-59页 |
| §3.2.2 拉曼光谱(Raman)测量 | 第59-60页 |
| §3.3 纳米压印PZT薄膜电学性能研究 | 第60-63页 |
| §3.3.1 上下电极制作方法 | 第60-62页 |
| §3.3.2 纳米压印PZT薄膜电学性能表征 | 第62-63页 |
| §3.4 纳米压印PZT薄膜电畴及压电性测量 | 第63-66页 |
| §3.5 小结 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-69页 |
| 第四章 纳米压印PZT薄膜的多位存储应用 | 第69-80页 |
| §4.1 铁电存储器介绍 | 第69-70页 |
| §4.2 多位存储介绍 | 第70-71页 |
| §4.3 PZT薄膜纳米压印多位存储应用 | 第71-76页 |
| §4.4 小结 | 第76-78页 |
| 参考文献 | 第78-80页 |
| 第五章 纳米压印PZT薄膜在金属银颗粒自组装上的应用 | 第80-94页 |
| §5.1 铁电光刻原理 | 第80-82页 |
| §5.2 铁电光刻技术应用及目前局限性 | 第82-87页 |
| §5.3 纳米压印PZT薄膜在金属颗粒自组装中的应用 | 第87-91页 |
| §5.4 纳米压印PZT薄膜金属颗粒自组装技术的挑战 | 第91-92页 |
| §5.5 小结 | 第92-93页 |
| 参考文献 | 第93-94页 |
| 第六章 纳米压印P(VDF-TrFE)薄膜在生物细胞诱导生长领域的应用 | 第94-112页 |
| §6.1 生物细胞的诱导生长 | 第94-98页 |
| §6.2 P(VDF-TrFE)铁电薄膜生物应用性 | 第98-100页 |
| §6.3 压印P(VDF-TrFE)薄膜的细胞生长研究 | 第100-103页 |
| §6.4 P(VDF-TrFE)薄膜剩余极化对细胞生长的影响 | 第103-108页 |
| §6.5 小结 | 第108-109页 |
| 参考文献 | 第109-112页 |
| 第七章 全文总结与展望 | 第112-114页 |
| §7.1 全文总结 | 第112-113页 |
| §7.2 未来展望 | 第113-114页 |
| 附录：攻读博士期间发表的论文与专利 | 第114-116页 |
| 致谢 | 第116-117页 |
